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《低频电子电路》 何丰;第三章 半导体受控器件的分析;3.4 应用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取;1. 明确非线性元器件工作区域;3.1 非线性半导体元器件的分析概述; 回顾第一章例题; 回顾第一章例题;要点：输出应属高低电位情况，即是在非线性大范围内求点。;要点：发射结反偏，集电结反偏。---管子截止，输出高电位5V。;要点：管子导通（放大、饱和）。; 管子处于放大区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。;说明如下：;按结构精细化模型;参数的数学表达;;;条件：管子处于饱和区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。;电路模型;;按结构精细化小信号模型说明;要点：直流电源作用下的计算问题。;具体步骤：（1）画出直流通路（c） ,其中 E0;结论分析：计算结果显然与放大区假设矛盾，计算结果不可信。; 晶体管PN结必然均处于反偏状态。即; 判断计算结论与之前“放大区”假设是否矛盾，若不矛盾，则计算结果可信。; 作图法与采用作图法对前述计算的说明;晶体管B、E之外的线性电路特性;第三章 半导体受控器件的分析;晶体管C、E之外的线性电路特性;第三章 半导体受控器件的分析;（2）选择近似解析计算法;（4）代入数值，计算得;（1）温度变化前; 保持集电极电流稳定，就可以保证CE之间电压稳定，即达到稳定放大区工作点的目的。; 保持集电极电流稳定，就可以保证CE之间电压稳定，即达到稳定放大区工作点的目的。; 实际典型工作点稳定电路原理; 工作点稳定电路条件;要点：电路数学目标、电路构成、分析手段、 分析结论与改进。;第三章 半导体受控器件的分析;第三章 半导体受控器件的分析;第三章 半导体受控器件的分析;根据小信号等效图，小信号计算如下：