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本证半导体：纯净晶体结构的导 体。 常用的有硅和错。 创作：欧阳育时间：2021.02.04 创作：欧阳育 在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破 坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴。空穴也 进行位置的相对移动，形成空穴电流。 N型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，钱， 碑）O使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个 游离的电子，N型半导体的多数载流子电子，少数载流子空 穴。电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。 所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少 数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。整个半导体内先 电中性。 本征半导体+微量正3价元素，晶格内形成共价键时，少电子而 多空穴，即为多数载流子。电子则为少数载流子。 P型半导体 W 杂质元素称为受主杂质，在外界能量的作用下形成空穴的移动, 留下带负电的杂质离子。主要靠空穴导电， P型与N型的交界处形成PN结。 交界两侧电子与空穴浓度差悬殊，产生扩散运动。电子由N向P務 动，形成P向N的电子电流。交界P.N分别留下（漂移）了不能移 动且显负，正的杂质离子，从而形成N向P的自建电场，阻碍了扩 散运动，中将达到二者平衡。 PN结的导电性 P接电源高电斥，N接电源低电 外加电场与自建场方向相反，阻挡 层变窄，促进多子扩散，PN结导 通。 N接电源髙电「仁P接电源低电