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薄膜太阳能电池的制备及性能研究 综合实验实验报告 实验题目：Sb2S3 薄膜太阳能电池的制备及性能研究 物理与能源学院 新能源科学与工程专业 Sb2S3 薄膜太阳能电池的制备及性能研究 【摘要】Sb2S3 作为 V-VI 族重要的半导体材料，具有独特的光电特性。本次综合实验采用化学水浴沉积法制备 Sb2S3 薄膜。首先将定量的去离子水，氨水，硫酸镉和硫脲混合成溶液，然后在 65°C 的水浴温度下制备出 CdS 薄膜。之后将定量的去离子水，五水合硫代硫酸钠，丙酮以及三氯化锑混合成溶液，再将制备好的 CdS 薄膜放入该溶液中， 并在 0°C 下生长。生长完成后经过干燥，退火，蒸镀，电池组装等一列操作后即可完成 Sb2S3 薄膜太阳能电池的制备，之后便可以测量该电池的电学性能。 关键字： Sb2S3 薄膜 化学水浴沉积 电学性能 一．文献综述 Sb2S3 背景[ 1] 能源是人类社会发展的动力，传统能源在推动人类文明进步的同时，也带来了许多等问题，如全球能源短缺、生态环境污染，迫使着世界各国及各界科学人士寻找洁净、廉价、可持续的新能源。开发新能源的有效途径之一是寻找廉价、环境稳定性好、且具有良好性能的材料。Sb2S3 作为硫族化合物中一种重要的直接带隙半导体材料，具有独特的光电特性，如良好的光敏感性、较高的热电性。因此，在微波器件、热电冷却设备、太阳能电池及光电探测器等光电器件有着重要的应用。此外，Sb2S3 无毒、储量丰富且制备成本低，越来越表现出诱人的研究前景。 Sb2S3 性质与结构 室温条件下，Sb2S3 能带间隙为 1.7～l.8eV，覆盖了大部分太阳光的光谱波长范围，且具有较高的光敏感性，对波长小于 900nm 的光有比较强的吸收，吸 收系数最高可达 1.8×10^5cm^-1(450nm)。自然界中 Sb2S3 存在于辉锑矿中，属正交晶系，下图为其晶体结构图。 Sb2S3 具有层状结构，层内是由平行于 C 轴的无数的链单元（Sb4S6)n 组成， 其中含有两种形式的 Sb 原子（Sb1、Sb2），以及三种状态的 S 原子(S1、S2、S3 )， S1 的化合价为 2-，S2、S3 的 3－。在层内，二价的 S1 原子和一种三价的 S2 原子通过强的共价键与 Sb1 原子相连，这种强共价键使得 Sb2S3 晶体易沿着链的方向生长。而在层间，另一种三价的 S3 原子通过较弱的范德华力与另一平行链上的 Sb2 原子相连，这种弱的范德华力易使晶体在链接沿着层的方向裂开，即沿着［001］面裂开。目前，Sb2S3 最热门的一个研究方向就是用作无机窄带系半导体敏化太阳能电池的吸收层，Sb2S3 基固态太阳能电池的效率达到 5%，这与固体分子染料电池的效率接近，这引起了人们对无机窄带系半导体敏化太阳能电池（ETA-extremelythin absorber solar cell）的关注。ETA 电池采用敏化方法制备的太阳能电池，可以增加电池对可见光谱的吸收，很大程度上提高了对可见光的利用率。此外，因其特性，因此逐渐受到更多的重视。 ETA 电池结构：ETA 电池主要包括以下几个组成部分：透明的导电基底（如导电玻璃）、工作电极、敏化吸收层、空穴传输层和对电极等组成。 无机敏化吸收层通常采用窄带隙的半导体吸光材料。窄带隙半导体材料具有较窄的禁带宽度，可以降低带隙，拓展半导体材料对光的响应，同时，敏化吸收层将 n 型半导体与 p 型半导体分隔开，可以抑制光生电子和空穴的复合，提高光电转换效率。目前己对一系列的半导体进行了实验，如 CdS，CdSe，PbS，CdTe， CulnS2，Bi2S3，In2S3，Sb2S3 等。许多文献报道了无机窄禁带固体太阳能电池， 以无机窄禁带半导体取代传统 sscs 中的有机染料，这种电池通过结合燃料敏化电池 DSSCs、无机固态电池 OSCs 的优点，同时克服了燃料敏化电池 DSSCs 的漏电和有机固态电池 OSCs 的不稳定的缺点，开辟了一个制备高功率、低成本电池的新方向。 上表列出了各窄带隙半导体材料，沉积方法及用其制备的电池种类和最高效率，从中我们可以看到，Sb2S3 的效果最为突出，用其制备的电池的转换效率可达 5%。与传统的 p-n 结电池相比，半导体敏化薄膜将 p 型与 n 型半导体分离， 光生电子空穴在分离的相中运动，降低了电荷复合的几率，有利于电池转化率的提高。同时，与有机染料相比，使用过程中，无机窄禁带半导体敏化剂电池具有成本低，寿命长以及稳定性好。吸收层极薄，可使电荷快速分离。 化学浴沉积法制备 Sb2S3 薄膜[ 2] 化学浴沉积（Chemical Bath Deposition）是以金属无机化合物调配溶液，然后将经过表面活化处理的衬底浸在沉积溶液中，不外加电场或其他能量，在