太阳电池工作原理（教学课件）.pptVIP

太阳电池工作原理 目录 引言 太阳能辐射 太阳电池结构和工作过程 太阳电池的电性能 引言 太阳能电池的历史 1839年法国实验物理学家 Edmund Bacquerel（贝克勒尔）发现了光生伏特效应。 1941年奥尔在硅上发现了光伏效应。 1954年Chaipin（恰宾）和Carlson (卡尔松)等人在贝尔实验室制成了光电转换效率达6%的世界上第一块实用的硅太阳电池，标志着太阳电池研制工作的重大进展。 引言 1959年第一个光电转换效率为5％的多晶硅太阳电池问世。 1960年硅太阳电池发电首次并入常规电网。 1975年，美国科学家制作出非晶硅太阳电池。 80年代初，太阳电池开始规模化生产。 引言 太阳电池—将太阳光能直接转换为电能的半导体器件 ● 种类 ● 硅太阳电池 1) Si太阳电池 1)单晶硅片 2) GaAs太阳电池 2)多晶硅片 3) 染料敏化电池 3)非晶硅薄膜 4) Cu2S电池 4)多晶硅薄膜 大气层对太阳辐射的影响 大气质量—太阳光线通过大气层的路程对到达地球表面的太阳辐射的影响 AM0—地球大气层外的太阳辐射 AM1—穿过1个大气层的太阳辐射（太阳入射角为0） AM1.5—太阳入射角为45°的太阳辐射 太阳辐射穿过大气层的情况 AM0 AM1.5 太阳电池结构 正电极 铝背场 负电极主栅线 负电极子栅线 Junction 太阳电池的工作过程 ——光生伏特效应 太阳电池的工作过程 ——光生伏特效应 Scell 吸收光子，产生电子空穴对。 电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势。 将PN结用导线连接，形成电流。 在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。 太阳电池等效电路 太阳电池电性能参数 Isc , Voc , Eff , FF Isc：电池面积、光强、 温度 Voc:光强、温度 FF：串联电阻、并 联电阻 太阳电池电性能参数 开路电压 Voc 短路电流 Isc 串联电阻 Rs 并联电阻 Rsh 填充因子 FF 开路电压 对理想的P-N结电池 最小饱和电流密度与禁带宽度的关系 开路电压 对于硅，禁带宽度约为1.1ev，所得到最大Voc约为700mV，相应的最高FF为0.84。 禁带宽度约为1.4～1.6ev，转化率会出现个峰值，砷化镓具有接近最佳值的禁带宽度。 Voc的损失主要在于体内复合。 短路电流 ——损失途径 表面的减反射程度，通过制绒和镀减反射膜使反射率在10%以下。 正面电极的印刷遮掉10%左右的入射光。 电池片比较薄，部分光线会直接穿透电池片。不过现采用全背面印刷铝浆对这损失有很大削弱。 半导体体内和表面的复合。 串联电阻 ●硅材料体电阻 ●金属电极电阻 ●金属与硅的接触电阻 串联电阻 串联电阻表达式： 是正面电极金属栅线电阻，rc1、rc2 分别是正面、背面金属半导体接触电阻， rt是正面扩散层的电阻，rb是基区体电阻，rmb是背面电极金属层的电阻 串联电阻 金属体电阻： 其中rsq为厚膜金属导体层的方块电阻，厚膜印刷银电极通常为0.003Ω/□ ～0.005Ω/□；l为栅线长度；w为栅线宽度。对于铝背场形式的背面电极，rsq通常为0.010～0.020Ω/□ 。 、 即可算出结果。 串联电阻 金属半导体接触电阻： εs是硅的介电常数，ND是掺杂浓度。大致上ND ≥1019/cm3时，RC将主要表现为隧道效应，并随着ND的增加迅速地下降。对于势垒高度在0.6V左右的金属材料，当硅的掺杂浓度在1020/cm3附近时，RC的数值大约为10-3～10-4Ωcm2  串联电阻 扩散薄层电阻引起的串联电阻： 为扩散层方块电阻；L为电池主焊接电极方向尺寸；W为电池细栅线方向尺寸；m为细栅线条数 串联电阻 基区体电阻： d为基区厚度，约等于硅基片厚度；地面用太阳电池基片材料电阻率通常使用范围为0.5～３Ω.cm 并联电阻 边