硅抛光片的几何参数及一些参数定义1.pdfVIP

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2021-09-04 发布于台湾
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硅抛光片的几何参数及一些参数定义集成电路硅片的规格要求比较严格必须有一系列参数来表示和限制主要包括硅片的直径或边长硅片的厚度平整度翘曲度及晶向的测定下面分别一一讨论硅片的直径边长硅片的厚度是硅片的重要参数如果硅片的直径边长太大基于硅片的脆性要求厚度增厚这样就浪费昂贵的硅材料而且平整度难于保证对后续加工及电池的稳定性影响较大再说单晶硅的硅锭直径也很难产生很大直径或边长太小厚度减小用材少平整度相对较好电池的稳定性较好但是硅片的后续加工会增加电极等方面的成本一般情况下太阳能电池的硅片是根据硅锭的大小设

硅抛光片的几何参数及一些参数定义集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有一系列参数来表示和限制。主要包括：硅片的直径或边长，硅片的厚度、平整度、翘曲度及晶向的测定，下面分别一一讨论。 1. 硅片的直径（边长），硅片的厚度是硅片的重要参数。如果硅片的直径（边长）太大，基于硅片的脆性，要求厚度增厚，这样就浪费昂贵的硅材料，而且平整度难于保证，