EPC瞄准氮化镓功率器件市场兴起机遇.docVIP

EPC 对准氮化镓功率器件市场盛行机会 功率器件向来都是由资料指引技术改革，硅材质的 MOSFET 已经应用多年，此刻面对在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战，而解决这一问题最根本的方法是采纳更高性能的资料。 宜普电源变换企业 （ EPC）是首家推出代替功率 MOSFET 器件的加强型氮化镓 （ eGaN）场效应晶体管的企业， 他们希望借助技术优势迅速推行其技术和产品，并于将来数年间取 代硅功率 MOSFET 器件及 IGBT ，强抢超出百亿美元的功率变换市场份额。 加强型氮化镓（ eGaN）场效应晶体管作为宽频隙器件，其优势包含拥有更高功率密度、更高电压、更低漏电流及具备在更高温度下工作的性能；拥有优秀传导性能，在同样导通阻抗下，器件尺寸更短小、更低电容等。该企业技术专家 Michael de Rooij 介绍，因为电容及电感影响开关速度，氮化镓场效应晶体管 （ eGaN FET）的尺寸短小及其横向构造可实现超低电容而同时使用 LGA 封装使得器件具低电感，进而在速度、电压过冲及振铃方面获得开亘古未有的开关性能。 器件并具零 QRR 使得它在高频下具较低消耗。氮化镓场效应晶体管的开关性能可实现更高功率密度、更高频、更精准 开关及更高总线电压。 该企业技术专家郑正一对照了几种资料的不一样特色， eGaN FET 的优势是可推进崭新性能的出现、易于使用、成 本低及具高靠谱性。该技术鉴于不昂贵的硅衬底，并使用现 有的 CMOS 晶圆工艺， 实现更少工艺步骤， 整体的系统成本 可更低且易于使用。碳化硅（ SiC ）器件是一种好资料，但 当前它的成本较高。 碳化硅器件能够工作在 1200 V 以上并比 硅器件优越好多。 EPC 的氮化镓场效应晶体管备有 200 V、 100 V 及 40 V 的器件，并正在开发其余电压的产品。在这些 电压范围， eGaNFET 在成本方面比碳化硅有显然优势， 这让 eGaNFET 特别合适包含直流 -直流变换器、无线电源传递、 包络追踪、射频传递、太阳能微型逆变器、光学遥感技术 LiDAR ）及 D 类音频放大器等应用， 器件性能比最好的硅功率 MOSFET 超出好多倍。