集成电路工艺名词解释.pdfVIP

1、CZ 单晶生长法定义 ：Czochralski(CZ) －查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了的半导体 级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成 n 型或 p 型的固体硅锭。 85％以上的单晶硅是采用 CZ法生长出来的。 CZ法特点 ：a. 低功率 IC 的主要原料。 b. 占有～ 80 ％的市场。 c. 制备成本较低。 d. 硅片 含氧量高。 2、描述氧化物的生长速率，影响这种速率的参数是什么？ 氧化物生长速率用于描述氧化物 在硅片上生长的快慢。影响他的参数有温度、 压力、氧化方式 ( 干氧或湿氧 ) 、硅的晶向和掺 杂水平。 3、短沟道效应（ Short Channel Effect ） ：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非 常严重的程度。源 - 漏两极的 p-n 结将参与对位于栅极下的硅的耗尽作用，同栅极争夺对该 区电荷的控制。 栅长 Lg 越短， 被源 - 漏两极控制的这部分电荷所占的份额比越大， 直接造成 域值电压 Vt 随栅长的变化。 4、方块电阻（薄层电阻）