二氧化钒薄膜.pptxVIP

会计学;Contents;VO2薄膜的发展：;VO2的应用：;;第5页/共18页;脉冲激光沉积（PLD）法制作ＶＯ2薄膜：;第7页/共18页;;图1中可以看出,几个较强的峰为R-sapphire衬底(012)、(024)、(036)方向的衍射峰,VO2薄膜(200)方向的衍射峰也比较明显,此外没有其他杂质峰存在,说明我们成功的制备了二氧化钒单晶薄膜。;图2中几个较强的峰为C-sapphire衬底(006)和(0012)方向的衍射峰,以及VO2薄膜(002)(004)方向的衍射峰,制备的二氧化钒薄膜结晶性好,纯净度高。;室温下,样品的电阻在106量级,呈半导体性质,随着温度的升高有所下降,在335K附近急剧下降,360K时降至几个欧姆,呈明显的金属性。;室温下,样品的电阻在105量级,呈半导体性质,随着温度的升高有所下降,在340K附近开始急剧下降,350K时降至几个欧姆,呈明显的金属性。;实验结论：;Thank you!;Contents;;实验结论：