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2.1 原理
2.2 结构
2.3 电感
2.4 功率场效应管
2.5 双极型晶体管
2.6 I G B T
2.7 变压器; ;3、电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾，目前最大电流控制能力，特别是在电力设备方面，还没有器件能完全替代可控硅。
4、额定电压：耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数，特别对电力系统，这显得非常重要。
5、温度与功耗。这是一个综合性的参数，它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题，一是继续提高功率器件的品质，二是改进控制??术来降低器件功耗，比如谐振式开关电源。
; ; ; ; ;2.1电阻;2.1电阻;2.1电阻; ;2.1电阻;2.1电阻; ; ; ; ;2.1电阻; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;2.1电阻; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;2.1电阻; ; ;2.1电阻; ;2.1电阻;2.1电阻; ;2.2电容; ;2.2电容; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;2.2电容; ;2.2电容; ; ;2.2电容; ; ; ; ;2.2电容; ; ; ;2.2电容; ; ; ; ;2.2电容; 2.3电感; 2.3电感;2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感;2.3电感; 2.3电感; 2.3电感;2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感; 2.3电感;2.3电感;2.3电感;2.3电感; 2.4功率场效应管; 2.4功率场效应管; 2.4功率场效应管;2.4功率场效应管; 2.4功率场效应管; 2.4功率场效应管;2.4功率场效应管; 2.4.4结型场效应管
1、结构与符号;2.4功率场效应管; 2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管; 2.4.5绝缘栅型场效应管MOSFET
1、 结构;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管;2.4功率场效应管; ; 3、绝缘栅场效应管的输入电阻很大，使得栅极的感应电荷不易泄漏，而且Si02氧化层又很薄，栅极只要有少量电荷，即可产生高压强电场，极易造成MOS管的击穿。所以要绝对防止栅极悬空。在不用时应将三个极短路。
4、场效应管的漏极和源极通常制成对称的，故可互换使用。但有些产品源极与衬底已连在一起，此时，漏极和源极不能互换使用。
;2.4功率场效应管;2.5双极型晶体管;2.5双极型晶体管; 2.5双极型晶体管; 2.5双极型晶体管; 2.5双极型晶体管; 2.5双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; ; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管;2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管;2.5 双极型晶体管;2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管;2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管; 2.5 双极型晶体管;2.5 双极型晶体管; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT;2.6 IGBT;2.6 IGBT; ;2.6 IGBT;2.6 IBGT; ;2.6 IGBT;2.6 IGBT;2.6 IGBT;2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT ; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT;2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.6 IGBT; 2.7变压器; 2.7 变压器;2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器;2.7 变压器;2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器;2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器; 2.7 变压器;
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