热蒸发制备准一维氧化物纳米材料及光致发光性能研究.docVIP

热蒸发制备准一维氧化物纳米材料及光致发光性能研究(精) 热蒸发制备准一维氧化物纳米材料及光致发光性能研究(精) PAGE / NUMPAGES 热蒸发制备准一维氧化物纳米材料及光致发光性能研究(精) 热蒸发制备准一维氧化物纳米资料及光致发光性能研究 准一维纳米资料如纳米管、纳米线、纳米同轴电缆、纳米带等 , 因为其优秀的力、光、电、声、磁、热、储氢等特征 , 在各样纳米级的电子学、光电子学、磁电子学和传感器件中有着宽泛的应用远景 , 因此成为当古人们研究的焦点。实现瞄准一维纳米资料的生长、成份、构造的可控制备 , 又是准一维纳米资料应用的前提和基础。所以 , 本论文环绕准一维纳米资料的合成及其物性做了一系列的研究 , 其主要研究结果以下 :1. 三元氧化物 SnGeO_3纳米带的合成、表征及发光性能研究经过简单热蒸发的方法在 Si 衬底上成功合成出大批的三元氧化 物 SnGeO_3纳米带。我们用扫描电镜 (SEM)、透射电镜 (TEM)、能量弥散 X 射线衍射仪 (EDS)和光致发光谱 (PL) 等测试手段对所得产物的容貌、微观构造和光学性能进行了研究。剖析表示 : 这些纳米带的宽度比较平均 , 一般在 200nm-400nm, 而厚度多数在 50nm-60nm范围内 , 表面也都特别的圆滑。因为在端部没有发现催化剂颗粒的存在 , 因此 , 我们以为该纳米带主假如经过气 - 固 (VS) 生长体制生长起来的。 PL 谱显示出一个发光中心位于 406nm处的宽而强的紫外发光峰。 2. 热蒸发法合成 ZnGa2O4纳米构造及光致发光性能研究在 1050℃条件下 , 经过热蒸发Ga2O_3和 ZnO的混淆物 , 成功合成出大批的近似“卷帘门”状的纳米构造。用 扫描电镜 (SEM)、透射电镜 (TEM)、能量弥散 X 射线衍射仪 (EDS)和光致发光谱 (PL) 等测试手段对所得产物的容貌、微观构造和光学性能进行了研究。结果显 示 : 这些纳米片按照的是气 - 固(VS) 生长体制。室温下测得的 PL 经高斯拟合后可获得两个发光中心分别位于 430nm和 481nm处的蓝色发光峰。此中 ,430nm 处的蓝光峰源自于尖晶石构造中的八面体 Ga-O原子的自激发中心 , 而 481nm处的蓝 色发光峰可能是源于一系列的氧空位、镓空位和镓氧空位对。 3. 二氧化硅微米棒阵列的制备及发光性能研究利用简单的热蒸发方法 , 在无任何催化剂条件下 , 经过气 - 固(VS) 生长体制在 1150℃下成功制备出非晶氧化硅微米棒阵列。利用扫描电镜 (SEM)、透射电镜 (TEM)、能量弥散 X 射线衍射仪 (EDS)和光致发光谱 (PL) 等测试手段对制得产物的容貌、微观构造和光学性能进行了研究。室温下 所测得的光致发光谱 (PL) 显示出一个从 325nm到 450nm的发光带 , 该发光带是由三个紫外发光峰构成 , 其分别位于 396nm,384nm和 373nm处。 【重点词有关文档搜寻】 ： 资料加工工程 ; 热蒸发 ; VS生长体制 ; 纳米带 ; 纳米片 ; 阵列 ; 光致发光