场效应MOS管AK30PD08S参数-8A-30V封装SOP-8.pdf免费

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2021-09-14 发布于广东
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AK30PD08S AK P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The AK30PD08S uses advanced trench technology to pro- vide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features Schematic diagram ● V = -30V,I = -8A DS D RDS(ON) 35mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) 20mΩ @ VGS=-10V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Application ● Battery Switch ● Load switch ● Power management Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 30PD08S AK30PD08S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -8 A Drain Current-Continuous(T =100℃) I (100℃) -5.7 A C D Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM -32 A Maximum Power Dissipation PD 3.1