超结MOS管AK65R2K4I参数1.8A710V封装TO-251.pdf

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2021-09-17 发布于广东
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AK65R2K4IAK65R2K4K N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ General Description The series of devices use advanced super junction VDS@Tjmax 710 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP 2.2 Ω gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s I 1.8 A D AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features ●New technology for high voltage device ●Low on-resistance and low conduction losses ●Small package ●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements ●100% Avalanche Tested ●ROHS compliant Application ● Power factor correction （PFC） ● Switched mode power supplies(SMPS) Schematic diagram ● Uninterruptible Power Supply （UPS） Package Marking And Ordering Information Device Device Package Marking AK65R2K4I TO-251 AK65R2K4I AK65R2K4K TO-252 AK65R2K4K Table 1. Absolute Maximum Ratings (T =25℃) C Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS 0V ） VDS