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11 2 中国光学
第 卷 第 期 Vol. 11 No. 2
2018 4 Apr. 2018
年 月 Chinese Optics
文章编号 2095-1531 (2018)02-0190-08
High - speed 850 nm vertical - cavity surface -emitting
lasers with BCB planarization technique
1 2 2 2 2
HE Xiao-ying ,DONG Jian ,HU Shuai ,HE Yan ,LV Ben-shun ,
2 2 1 1*
LUAN Xin-xin ,LI Chong ,HU Zong-hai ,GUO Xia
(1. School of Electronic Engineering ,State Key Laboratory of Information Photonics and
Optical Communications ,Beijing University of Posts and Telecommunications ,Beijing 100876,China ;
2. School of Information ,Beijing University of Technology ,Beijing 100124,China)
* Corresponding author ,E-mail :guox @ bupt. edu. cn
Abstract :Vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)are widely used in short-reached optical intercon-
nects and data communication links because of their low energy consumption and high modulation speed. Ca-
pacitance ,as the parasitic parameters ,affects the modulation bandwidth. In this paper ,parasitic capacitance
of VCSELs is reduced by using a low-k benzocyclobutene (BCB)planarization technique. The detail BCB pla-
narization technique has been discussed with optimal process parameters ,which is useful for high-speed VC-
SEL fabrication. The small signal modulation bandwidth of the low-k BCB planarization VCSEL with 7 μm ox-
ide aperture has been achieved to 15. 2 GHz.
Key words :vertical-cavity surface-emitting laser ;high-speed modulation ;benzocyclobu
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