超结MOS管AKP039N10F参数62A100V封装TO-220.pdf

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2021-09-17 发布于广东
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AKP039N10F AK N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high frequency ●V =100V,I =62A DS D switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=4.4mΩ , typical @ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) R and Q . This device is ideal for high-frequency switching DS(ON) g ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ●175 °C operating temperature Application ●Pb-free lead plating ●DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and synchronous 100% UIS TESTED! rectification 100% ∆Vds TESTED! Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity AKP039N10F AKP039N10F TO-220F - - - Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) C Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS