绝缘栅场效应管(IGFET)的基本知识.pdf

I. 绝缘栅场效应管 (IGFET) 的基本知识 作者：佚名 来源： 发布时间： 2009-11-9 15:46:34 [ 收 藏] [ 评 论] 绝缘栅场效应管 (IGFET) 的基本知识 1.增强型 NMOS 管 s：Source 源极， d： Drain 漏极， g ：Gate 栅极， B ： Base 衬底，在 P 型衬底扩散上 2 个 N 区， P 型表面加 Si O2 绝缘层，在 N 区加铝线引出电极。 2. 增强型 PMOS 管 在 N 型衬底上扩散上 2 个 P 区， P 型表面加 S O 绝缘层，在二个 P 区加铝线引出电极。 PMOS 与 NMOS 管的 i 2 工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 3.增强型 NMOS 管的工作原理 正常工作时外加电源电压的配置： (1)V GS=0, V DS=0 ：漏源间是两个背靠背串联的 PN 结，所以 d-s 间不可能有电流流过，即 iD ≈0。 (2)当 V GS ＞0 ，V DS=0 时：d-s 之间便开始形成导电沟道。 开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压 V GS (th)( 习惯上常表示为 V T)。 沟道形成过程作如下解释：此时，在栅极与衬底之间产生一个垂直电场 (方向为由栅极指向衬底 ) ，它使漏 -源之间 的 P 型硅表面感应出电子层 (反型层 )使两个 N 区沟通，形成 N 型导电沟道。如果，此时再加上 V DS 电压，将会 产生漏极电流 iD 。当 V GS ＝0 时没有导电沟道， 而当 V GS 增强到＞ V T 时才形成沟道， 所以称为增强型 MOS 管。 并且 V GS 越大，感应电子层越厚，导电沟道越厚，等效沟道电阻越小， iD 越大。 (3) 当 V GSVT ，V DS0 后， 漏 -源电压 V DS 产生横向电场：由于沟道电阻的存在， iD 沿沟道方向所产生的电压 降使沟道上的电场产生不均匀分布。近 s 端电压差较高，为 V GS；近 d 端电压差较低，为 V GD ＝V GS-V DS ，所以 沟道的形状呈楔形分布。 1)当 V DS 较小时： V DS 对导电沟道的影响不大，沟道主要受 V GS 控制， 所以 V GS 为定值时，沟道电阻保持不 变， iD 随 V DS 增加而线性增加。此时，栅漏间的电压大于开启电压，沟道尚未夹断， 。 2) 当 V DS 增加到 V GS-V DS ＝V T 时 (即 V DS ＝V GS-V T) ：栅漏电压为开启电压时，漏极端的感应层消失，沟道被夹 断，称为 “预夹断 ”。 3) 当 V DS 再增加时 (即 V DS ＞V GS-V T 或 V GD =V GS-V DSV T) ： iD 将不再增加而基本保持不变。因为 V DS 再增加 时，近漏端上的预夹断点向 s 极延伸，使 V DS 的增加部分降落在预夹断区，以维持 iD 的大小，