电工电子技术半导体分立器件及其基本电路.pptxVIP

第一章 半导体分立器件及其基本电路§ 1.1 半导体的基本知识与PN结§ 1.2 半导体二极管及其应用电路§ 1.3 放大电路的基本概念及其性 能指标§ 1.4 三极管及其放大电路§1.6 多级放大电路导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。§1.1 半导体的基本知识与PN结1.1.1 导体、半导体和绝缘体半导体的导电具有不同于其它物质的特点。导电性：导电可控性结构：半导体晶体。外激发控制 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。掺杂质控制 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 1.本征半导体GeSi本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。本征半导体的结构特点:现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。+4+4+4+4硅和锗的共价键结构共价键,共用电子对+4表示除去价电子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，+4+4+4+4空穴自由电子束缚电子+4+4+4+4半导体的导电机理空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 自由电子和空穴称为半导体载流子。总结本征半导体的导电机理1.本征半导体中电流(载流子移动)由两部分组成： (1)自由电子移动产生的电流。 (2) 空穴移动产生的电流。2.本征半导体的导电能力取决于自由电子、空穴(载流子)的浓度。3. 光敏性、热敏性，载流子的浓度越高。本征半导体的导电能力越强，这是半导体的一大特点。 2.杂质半导体（电子型半导体）N 型半导体（空穴型半导体）P 型半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑ti）,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟yin）,空穴是多子，电子是少子。 Si Si Si Sip+ 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。多余电子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。磷原子失去一个电子变为正离子 Si Si SiB– Si掺入三价元素空穴 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。硼原子 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。接受一个电子变为负离子+4+4+4+4+P-B+4+4NP杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。1.1.2 PN结及其单向导电性PN 结在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的运移，在它们的交界面处就形成了空间电荷区，即PN结。1.1.2 PN结及其单向导电性内电场－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++－－+++－－++－－++－－ 内电场强，不利于扩散，而使漂移运动加 强，漂移使空间电荷区变薄。1. PN结的形成空间电荷区称 PN 结 少子的漂移运动P 型半导体N 型半导体 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。浓度差多子的扩散运动形成空间电荷区 扩散的结果使空间电荷区变宽。二. PN结的单向导电性 PN 结外加上正向电压 (正向偏置):P 区加正电压、N 区加负电压。 PN 结外加反向电压(反向偏置):P区加负电压、N 区加正电压。PN 结外加上正向电压 (正向偏置)PN 结外加上反向电压 (反向偏置)PN结具有单向导电性定义1.当PN结外加正向电压时，有较大的正向电流,呈现一低电阻特性, PN结导通；2.当PN结外加反向电压时，电流很小，呈现一高电阻特性， PN结截止。(b)面接触型(a)点接触型 PN一、基本结构PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。(1) 点接触型二极管(2) 面接触型二极管二极管的电路符号：正(阳)极负(阴)极-+§1.2半导体二极管及其应用电路IU 二、伏安特性导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。IRM反向击穿电压UBR三、主要参数1. 最大整流电流 IFM二极管长期使用时，允许流过二极