光敏二极管的检测方法.docxVIP

1电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表 Rxik档测 量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在 10~20kQ之间，反向电阻值为 a （无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损 坏。 再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，然后观察其正、反向 电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵 敏度越高。 2．电压测量法 将万用表置于 1V 直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有 0.2~0.4V 电 压（其电压与光照强度成正比） 。 3 .电流测量法 将万用表置于50 ^A或500 ^A电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极， 正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。 1.光敏二极管的简易判别方法 （1） 电阻测量法 用万用表1k档，测正向电阻约 10k Q左右。在无光照情况下，反向电阻应为汽反向电阻 不是a,说明漏电流大；有光照时，反向电阻应随光照增强而减小，阻值小至几 k Q或1k Q以下。 （2） 电压测量法 用万用表1V档（无1V档可用1. 5V或3V档），红表笔接光敏二极管的“十”极，黑表笔 接“-”极，在光照情况下，其电压应与光照度成比例，一般可达 0. 2?0. 4V。 （3）短路电流测量法 用万用表 50mA 或 500mA 电流档,红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“ -”极,在 白炽灯下 （不能用日光灯） ,应随光照的增强, 其电流随之增加。 短路电流, 可达数十 mA ? 数百 mA 。 光敏二极管的主要特性参数 最高反向工作电压 VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于 0.1卩A 时所能承受的最高反向电压值。 暗电流 ID: 是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。 暗电流越小， 光 敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。 光电流 IL: 是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测 量的一般条件是 :2856K 钨丝光源，照度为 10001x 。 光电灵敏度 Sn: 它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数， 用在每微瓦的入射光能量 下所产生的光电流来表示，单位为 卩A/卩W。 隔 ⑤响应时间TZ光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。 响应时司越短， 说明光敏 二极管的工作频率越高。 正向压降 VF: 是指光敏二极管过一定的正向电流时，它两端产生的压降。 结电容 Cj: 指光敏二极管 PN 结的电容。 Cj 是影响光电响应速度的主要因索。 结面积越小， 结电容 Cj 也就越小，则工作频率越高。 光敏二极管又称光电二极管，目前使用最多的是 Si 光电二极管。它有四种类型： PN 结型， PIN 结型，雪崩型和肖特基结型。以下简介 PN 结型光敏二极管。 PN 结型光敏二极管同普通二极管一样，也是 PN 结构造，只是结面积较大，结深较浅，管壳上 有光窗，从而使人射光容易注入 PN 结的耗尽区中进行光电转换， 大的结面积增加了有效光面积， 提高了光电转换效率。 在无光照射时， 光敏二极管的伏安特性和普通二极管一样， 此时的反向饱和电流叫暗电流， 一般 在几微安到几百微安之间， 其值随反向偏压的增大和环境温度的升高而增大。 在检测弱光电信号 时，必须考虑用暗电流小的管子。 在有光照时，光敏二极管在一定的反偏电压围（ UR5V ），其反向电流将随光照强度 （ 10-3~103lx 围）的增加而线性增加，这时的反向电流又叫光电流。因此，对应一定的光照 强度，光敏二极管相当于一个恒流源。在有光照而无外加电压时，光敏二极管相当于一个电池， P 区为正， N 区为负。 光敏二极管有一定光谱响应围，并对某波长的光有最高的响应灵敏度（峰值波长）。因此，为获 取最大的光电流， 应选择光谱响应特性符合待测光谱的光敏二极管， 同时加大照度和调整入射的 角度。 光敏二极管的响应时间， 一般小于几百微秒， 主要取决于结电容和外部电路电阻的乘积。 表 B316 列出了几种光敏二极管的参数， 其中灵敏度指输入给定波长的单位功率时， 光敏二极管能输出的 光电流值。 表B316 几种光敏二极管的参数 \参数和 0试 型虫 最高「?作 电压UrmV 暗电流 HA 光电流 fiA 灵敏度 峰值响 腹波长 ^iin 响爪［时 间 tr tf 无光照 lOOlx U=Urm 波长 0.9nm u=uRM U-10V f =300Hz 2CU1A 10 0.2 80 2CU1B -LE 20-50 2CU2A 10 0.1 30 0.5 0.