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— PAGE \* Arabic 1 — 纳米材料制备方法综述 纳米材料制备方法综述   点和低熔点金属。常规的热蒸发法只能适用于低熔点金属；能制备多组元的化合物纳米微粒，如A152Ti48、Cu91Mn9及ZrO2等；通过加大被溅射的阴极表面可提高纳米微粒的获得量。  2、化学气相沉积（CVD）  该方法是在一个加热的衬底上,通过一种或几种气态元素或化合物产生的化学元素反应形成纳米材料的过程,具有均匀性好,可对整个基体进行沉积等优点。其缺点是衬底温度高。随着其它相关技术的发展,由此衍生出来的许多新技术,如分子束外延（MBE）、金属有机化合物气相沉积(MOCVD)、化学束外延（CBE）、激光诱导化学气相沉积（PICVD）。  2.1分子束外延（MBE）  在超高真空系统中相对地放置衬底和几个分子束源炉，将组成化合物的各种元素和掺杂元素等分别放入不同的炉源内，加热炉源使它们以一定的速度和束流强度比喷射到加热的衬底表面上，在表面互相进行晶体的外延生长。该法可制备出不同的超晶格材料，外延表面和界面可达分子级的平整度。结合适当的掩膜、激光诱导技术，还可实现3维图形结构的外延生长。但MBE生长速度较低，一般为0.1~1 um/h。  2.2金属有机化合物气相沉积(MOCVD)  MOCVD是用H2将金属有机化合物