电力电子技术_复习题答案.docx

PAGE PAGE 1 第二章： 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率 du/dt 和通态电流临界上升率等，若 du/dt 过大，就会使晶闸管出现 _ 误导通 _，若 di/dt 过大，会导致晶闸管 _ 损 坏 。 目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 电力晶体管 、 可关断晶闸管 、 功率 场效应晶体管 、绝缘栅双极型晶体管 几种。 简述晶闸管的正向伏安特性？ 答: 晶闸管的伏安特性 正向特性 当 IG=0 时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压 Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在 1V 左右。 如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值 IH 以下，则晶闸管又回到正向阻断状态， IH 称为维持电流。 使晶闸管导通的条件是什么 ? 答：使晶闸管导通的条件是： 晶闸管承受正向阳极电压， 并在门极施加触发电流 （脉冲） 。或：uAK0且 uGK0。 在如下器件： 电力二极管 （ Power Diode ）、晶闸管（ SCR）、门极可关断晶闸管 （GTO）、电力晶体管 （GTR）、电力场效应管（电力 MOSFE）T、绝缘栅双极型晶体管（ IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。 晶闸管的擎住电流 I L 答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。 晶闸管通态平均电流 I T(AV) 答：晶闸管在环境温度为 40 C 和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 晶闸管的控制角α（移相角） 答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度 , 用 a 表示, 也称触发角或控制角。 常用电力电子器件有哪些？ 答：不可控器件：电力二极管。 半控型器件：晶闸管。 全控型器件：绝缘栅双极晶体管 IGBT，电力场效应晶体管 （电力 MOSFE）T ，门极可关断晶闸管（ GTO），电力晶体管。 电力电子器件有几种工作状态 ?（电力电子器件有哪四种工作状态 ?） 答：四种，即开通、截止、反向击穿、正向击穿。 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 晶闸管由导通变为关断：去掉正向电压，施加反压，使晶闸管的电流低于维持电流。 简述晶闸管的正常工作时的特性 。 答: 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的 某一数值以下。 对同一只晶闸管，维持电流 I H 与擎住电流 I L 在数值大小上有 I H 小于 I L。 请 在 空 格 内 标 出 下 面 元 件 的 简 称 ： 电 力 晶 体 管 GTR ； 可 关 断 晶 闸 管 GTO ； 功 率 场效 应 晶 体 管 MOSFET ； 绝 缘 栅 双 极 型 晶 体 管 IGBT ； IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的 复 合 管 。 晶闸管触发电路的要求？ 答：晶闸管触发电路应满足下列要求： 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念）。 触发脉冲应有足够的幅度。 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 16．按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 单极型 、 双极型 、复合型 三 17. 17. 电力二极管的主要类型？ 答：电力二极管的主要类型有 普通 、快恢复 、 肖 特基 。 18. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质， 驱动 两类 可将电力电子器件分为 _电流驱动 和 电压 第三章 ： 1 三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α 30°时，负载电流出现 断续 _。晶闸管 所承受的最大反向电压为 6u 2 。 2 单相全控桥整流电路，其输出电压的脉动频率是 100hz ，三相零式可控整流电路，其输出电压的脉动频 率为 150hz 。 3 三相半波可控整流电路，带大电感负载，移相范围为（ 90° ）。 4 三相全控桥整流电路，带电阻负载，控制角α 电压 uv11 的波形； =30°，试画出整流输出电压 ud 的波形，画出晶闸管 V11 的 5 单相半波可控整流电路接电阻负载。α =30°，画