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第 1 章 检测题（共 100 分， 120 分钟） 一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分） 1、 N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体的多 数载流子为 _ 自由电子 _ ，少数载流子为 _空穴—，不能移动的杂质离子带 _ 正_ 电。 P 型半 导体是 在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体的多数载流子为 _ 空 穴_ ，少数载流子为 _ 自由电子 _ ，不能移动的杂质离子带 _ 负_ 电。 2 、 三极管的部结构是由—发射一区、 _基_ 区、—集电区一区及—发射一结和—集电一结组 成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、 _基_极和—集电—极。 3 、 PN 结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向 —相反 _ ，有利于—多数载流子—的 _ 扩散一运动而不利于一少数载流子 _ 的_漂移 _; PN 结反向偏置时，外电场的方向与电场 的方向— 一致_ ，有利于—少子 _ 的_漂移—运动而不利于 —多子 _ 的_扩散 _ ，这种情况下 的电流称为 _反向 饱和 _ 电流。 4 、 PN 结形成的过程中， P 型半导体中的多数载流子由 _P_ 向— N_ 区进行扩散， N 型 半导 体中的多数载流子由 _N_ 向_P_ 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起 一个—空间电荷 区_ ，其方向由 _N_ 区指向 _P_ 区。—空间电荷区 _ 的建立，对多数载流子的 扩散一起削弱作用，对 少子的 —漂移一起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， _PN 结 _形成。 5 、 检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 _R X 1K_ 档位，当检测时表针偏转度较 大 时，与红表棒相接触的电极是二极管的 _ 阴_极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 _ 阳 极。检测 二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已 经被—击穿 _ ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时， 说明该二极管已经 _绝缘老 化不通。 6 、 单极型晶体管又称为 _ 场效应（ MOS ） _ 管。其导电沟道分有 _N_ 沟道和 _P_ 沟道。 7 、 稳压管是一种特殊物质制造的 _ 面_接触型 _硅晶体 _二极管，正常工作应在特性曲 线的 _ 反向击穿—区。 8 、MOS 管在不使用时应避免 _栅_极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题 1 分，共 10 分） 1、 P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P 型半导体呈负电性。 （错） 2 、 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （错） 3 、 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 RX 10K 档位。 （错） 4 、 PN 结正向偏置时，其外电场方向一致。 （错） 5 、 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错） 6 、 双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。