第三章代表性工艺 .pptx

第三章 代表性工艺;3.1 标准双极工艺;制造工序;外延层生长;隔离扩散;深N+扩散;基区注入;9、我们的市场行为主要的导向因素，第一个是市场需求的导向，第二个是技术进步的导向，第三大导向是竞争对手的行为导向。七月-21七月-21Saturday, July 17, 2021 10、市场销售中最重要的字就是“问”。20:49:0720:49:0720:497/17/2021 8:49:07 PM 11、现今，每个人都在谈论着创意，坦白讲，我害怕我们会假创意之名犯下一切过失。七月-2120:49:0720:49Jul-2117-Jul-21 12、在购买时，你可以用任何语言；但在销售时，你必须使用购买者???语言。20:49:0720:49:0720:49Saturday, July 17, 2021 13、He who seize the right moment, is the right man.谁把握机遇，谁就心想事成。七月-21七月-2120:49:0720:49:07July 17, 2021 14、市场营销观念：目标市场，顾客需求，协调市场营销，通过满足消费者需求来创造利润。17 七月 20218:49:07 下午20:49:07七月-21 15、我就像一个厨师，喜欢品尝食物。如果不好吃，我就不要它。七月 218:49 下午七月-2120:49July 17, 2021 16、我总是站在顾客的角度看待即将推出的产品或服务，因为我就是顾客。2021/7/17 20:49:0720:49:0717 July 2021 17、利人为利已的根基，市场营销上老是为自己着想，而不顾及到他人，他人也不会顾及你。8:49:07 下午8:49 下午20:49:07七月-21 ;发射区扩散;接触、金属化、覆盖保护层;可用器件;衬底PNP晶体管;横向PNP晶体管;基区电阻;发射区电阻;基区埋层电阻;电容;上下隔离;双层金属;高值薄层电阻;3.2 多晶硅CMOS工艺;制造工序;反型槽;沟道终止注入;LOCOS工艺;阈值调整;多晶硅淀积;源漏注入;接触、金属化、覆盖保护层;可用器件;PMOS晶体管;衬底PNP晶体管;多晶硅电阻;NSD和PSD电阻;电容;工艺扩展;扩展漏区高压晶体管;3.3 模拟BiCMOS工艺;制造工序;N阱扩散和深N＋区;基区注入;反型槽;沟道终止注入;LOCOS;阈值调整;多晶硅淀积及光刻;源/漏注入;金属化及保护层;可用器件;衬底PNP晶体管;横向PNP晶体管;基区电阻;工艺扩展;DI BiCMOS纵向NPN晶体管;DI BiCMOS纵向PNP晶体管;3.4 其它工艺;低压部分;隔离部分的实物照片;3.5 一个集成电路的例子;功率集成电路的高压部分的版图照片;器件的照片1;器件的照片2;器件的照片3;器件的照片4;器件的照片5;器件的照片6