一种负压保护电路-CN209200659U.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209200659 U (45)授权公告日 2019.08.02 (21)申请号 201920097338.1 (22)申请日 2019.01.21 (73)专利权人 西安茂德通讯科技有限公司 地址 710000 陕西省西安市国家民用航天 产业基地西安建工科技创业基地A区 一排一号第三层 (72)发明人 屈平　钟意　董伟强　韩万收　 (74)专利代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 代理人 冯筠 (51)Int.Cl. H02H 9/00(2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)实用新型名称 一种负压保护电路 (57)摘要 本实用新型公开了一种负压保护电路，包括 第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、 第三电阻以及第四电阻，其中，所述第一晶体管 的基极通过第二电阻连接电源负电压，其发射极 接地，所述第一电阻连接于所述电源负电压及地 之间，该第一晶体管的集电极通过第三电阻连接 所述第二晶体管的栅极，该第二晶体管的源极连 接电源正电压，其漏极作为电压输出端，所述第 四电阻连接于所述第二晶体管源极和栅极之间。 与现有技术相比，本实用新型中当电路中有电源 负电压输入后，第一晶体管集电极端才对地导 通，第二晶体管的源极和栅极产生电压差，使得 U 第二晶体管导通，可知，本实用新型的负压保护 9 电路形式简单，元器件数目少，可提高电路的工 5 6 0 作稳定性。 0 2 9 0 2 N C CN 209200659 U 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路包括第一晶体管、第二晶体管、 第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，其中，所述第一晶体管的基极通过第二电阻 连接电源负电压，其发射极接地，所述第一电阻连接于所述电源负电压及地之间，该第一晶 体管的集电极通过第三电阻连接所述第二晶体管的栅极，该第二晶体管的源极连接电源正 电压，其漏极作为电压输出端，所述第四电阻连接于所述第二晶体管源极和栅极之间。 2.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路还包括有一第二 电容，所述第二电容一端与第二晶体管的源极连接，其另一端接地。 3.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于：所述负压保护电路还包括有一第一 电容，所述第一电容的正极与第二晶体管的源极连接，其负极接地。 4.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于：所述第一晶体管为PNP型晶体管。 2 2 CN 209200659 U 说　明　书 1/3页 一种负压保护电路 技术领域 [0001] 本实用新型涉及砷化镓及氮化镓放大器技术领域，更具体地涉及一种负压保护电 路。 背景技术 [0002] 目前的大功率固态功率放大器需要使用到大电流电源，电流动辄几安培到几十安 培，而若电源如果出现过流过压，在极短的时间内功放管就会被烧毁；由于现有的砷化镓、 氮化镓功率管是由栅极负电压控制漏极的大电流，其要求负电压在正电压之前加载到功率 管上，以使得功率管的工作电流控制在额定范围内，否则，加载到功率管上的电流不受控 制，使得电流