;第八章 分立元件放大电路;本章要求:
1、了解半导体二极管、稳压二极管、晶体三
极管和MOS场效应管的特性和主要参数;
2、了解放大电路的基本性能指标;
3、掌握共发射极、共集电极单管放大电路静
态工作点的作用和微变等效电路的分析方
法;
4、了解多级放大的概念。; 对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。
学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。
对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;7.1 半导体器件;半导体的特性:;1. 本征半导体;硅和锗的共价键结构;;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;2. N型半导体和P型半导体;P 型半导体;杂质半导体的示意表示法; 1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、b.温度)有关。;3. PN结的形成;;PN 结加反向电压(反向偏置);PN 结的单向导电性;7.1.2 半导体二极管;二极管的结构示意图;2、 伏安特性;3、主要参数;二极管的单向导电性; 二极管电路分析举例 ;电路如图,求:UAB;两个二极管的阴极接在一起
求:UAB
取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V 二极管导通,可看作短路 uo = 8V
ui 8V 二极管截止,可看作开路 uo = ui;5.稳压二极管;3. 主要参数;7.1.3 晶体三极管;;符号:;2.电流放大原理;三极管内部载流子的运动规律;三极管内部载流子的运动规律;ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3. 特性曲线; 实验线路;1. 输入特性;2. 输出特性;IC(mA );IC(mA ); 输出特性可划分为三个区,分别代表晶体
管的三种工作状态。;4. 主要参数; 例:
UCE=4.7 V时, IB=30?A, IC=1.48mA;
IB=45 ?A, IC=2.2mA。;2. 集-基极反向饱和电流 ICBO;3. 集-射极穿透电流 ICEO;4. 集电极最大允许电流ICM;6. 集电极最大允许耗散功耗PCM;IC;7.1.4 绝缘栅场效应管;;;耗尽型;2. MOS场效应管的工作原理;; UGS愈高,导电沟道愈宽,在漏极电源的作用下将产生漏极电流,管子导通。;2. MOS场效应管的工作原理;3. 特性曲线;4. 场效应管的主要参数; 场效应管与晶体管的比较;1、了解放大电路的基本性能指标;;放大的概念:;8.2.1 基本放大电路的组成及工作原理;8.2.1 基本放大电路的组成及工作原理;8.2.1 基本放大电路的组成及工作原理;单电源供电时常用的画法;8.2.2 放大电路的分析;共射放大电路的电压放大作用;;表达式分析:;一、放大电路的静态分析;1. 估算法:;RB;RB;;2、图解法:;2、图解法:;二、放大电路的动态分析;微变等效电路法;2)输出回路;;2. 放大电路的微变等效电路;3. 电压放大倍数的计算:;3. 电压放大倍数的计算;4. 输入电阻的计算;输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻越大,从信号源取得的电流越小,因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。;; 5. 输出电阻的计算;输出电阻的定义:;RL; 8.2.3 非线性失真;;;; 7-13、7-21;8.3 放大电路中静态工作点的稳定;8.3.1 温度变化对静态工作点的影响;;8.3.2 分压式偏置电路; 集电极电流基本恒
定,不随温度变化。;参数的选择;Q点稳定的过程;2. 静态工作点的计算;3. 动态分析; 去掉CE后的
微变等效电路;去掉CE后的微变等效电路;ri 提高;无旁路电容CE;对信号源电压的放大倍数?;考虑信号源内阻RS时;8.4 射极输出器;求Q点:;8.4.2 动态分析;2. 输入电阻;3. 输出电阻;一般;共集放大电路(射极输出器)的特点:;讨论;例1:;【解】;(2)微变等效电路如图;8.5 多级放大电路;8.5.1 阻容耦合放大电路;1. 静态分析:;2. 动态分析:;结论:;8.5.2 直接耦合放大电路;直接耦合放大电路的零点漂移;
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