IBC电池的工艺流程.pdfVIP

管理评审计划 PB502-01A 准备—— N型 FZSi，电阻率约为 2.5 Ωcm。制作前进行了双面抛光， 并在 0.55%的 HF酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质 + B掺杂——背面（ BS）外延 B掺杂，形成 P ，制作发射极 掩模 1—— PECVD沉积氮化硅，厚度约 200nm，作为后道工艺的掩 模 酸洗 1——利用去除未经曝光的光刻胶，漏出需要做