高中化学 第4章 非金属及其化合物课件 人教版必修1.ppt

实验操作和现象： 操　作 现　　象 关闭弹簧夹，滴加一定量浓硫酸，加热 A中有白雾生成，铜片表面产生气泡 B中有气泡冒出，产生大量白色沉淀 C 中产生白色沉淀，液面上方略显浅棕色并逐渐消失 操　作 现　　象 打开弹簧夹，通入N2，停止加热，一段时间后关闭 从B、C中分别取少量白色沉淀，加稀盐酸 均未发现白色沉淀溶解 (1)A 中反应的化学方程式是_________________________。 (2)C 中白色沉淀是________，该沉淀的生成表明SO2具有________性。 (3)C中液面上方生成浅棕色气体的化学方程式是_______ _________________________________________________。 (4)分析B中不溶于稀盐酸的沉淀产生的原因，甲认为是空气参与反应，乙认为是白雾参与反应。 ①为证实各自的观点，在原实验基础上： 甲在原有操作之前增加一步操作，该操作是________； 乙在A、B间增加洗气瓶D，D中盛放的试剂是________。 ②进行实验，B中现象： 甲 大量白色沉淀 乙 少量白色沉淀 检验白色沉淀，发现均不溶于稀盐酸。结合离子方程式解释实验现象异同的原因：________________________________ ________________________。 (5)合并(4)中两同学的方案进行实验。B中无沉淀生成，而C中产生白色沉淀，由此得出的结论是___________________ __________________________________________________。 解析：铜与浓硫酸反应生成硫酸铜、二氧化硫和水。白色沉淀不溶于稀盐酸，说明该白色沉淀为硫酸钡沉淀，SO2溶于水生成H2SO3，硝酸在酸性条件下将SO氧化成SO，二氧化硫表现出还原性，将HNO3还原，生成无色的一氧化氮，一氧化氮与洗气瓶上方的氧气发生反应生成红棕色的二氧化氮气体。甲同学在实验前通入足量的氮气排出整个装置中的空气，排除空气中氧气的干扰；乙同学在装置A、B之间增加盛有饱和亚硫酸氢钠的洗 气瓶D，排除白色酸雾的干扰； 甲、乙两同学的实验中，B中均有不溶于稀盐酸的白色沉淀，说明有硫酸钡沉淀生成，甲是酸雾引起的，乙是氧气引起的，根据甲同学得到的沉淀多，说明酸雾的量远大于装置中氧气的量。合并甲、乙两同学的装置实验，既除去了氧气又除去了酸雾，装置B 中无白色沉淀生成，说明二氧化硫与可溶性钡的强酸盐不能反应生成亚硫酸钡沉淀。 氮元素及其化合物的性质 氮及其化合物的转化关系如下： [考题印证] 7．下列有关实验操作、现象和解释或结论都正确的是(　　) 答案：C 答案：B 返回 考点三 第四章 章末复习方案与全优评估 归纳·整合·串联 整合·迁移·发散 考点一 检测·发现·闯关 考点二 考点四 硅元素及其化合物的性质和转化 涉及本考点的考题主要以硅的化合物知识为载体，考查硅、二氧化硅的性质及硅的制备知识，其题型一般以选择题、填空题为主。硅酸盐材料是人类生活必不可少的物质基础，与当今的生产、生活实际密不可分，新课程改革理念及新高考命题思想均要求与社会生产、生活实际紧密结合，所以相关知识点一定会在今后的高考中重现。 硅及其化合物的转化关系如下： [考题印证] 答案：(1)√　(2)×　(3)×　(4)√　(5)×　(6)× 2．硅单质及其化合物应用范围很广。请回答下列 问题： (1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下： ①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学方程式_____________。 ②整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质，写出配平的化学方程式_______________________________________________； H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是______ __________________________________________________。 (2)下列有关硅材料的说法正确的是________(填字母)。 A．盐酸可以与硅反应，故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅 B．氮化硅硬度大、熔点高，可用于制作高温陶瓷和轴承 C．高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料——光 导纤维 D．普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的，其熔点 很高 解析：(1)①根据给定的反应物和生成物写出化学方程式，注意反应条件和配平。 ②写出反应物和给出的生成物H2SiO3和HCl，用原子守恒法找出另一种生成物H2，并配平化学方程式。 (2)A项盐