高效型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池.pdfVIP

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效 N 型背结前接触和 背结背接触晶体硅太阳能电池 编辑 陈晨张巍贾锐张代生邢钊 发表于： 2012-11-05 来源： 中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中 心 摘要： Solarbe( 索比 )光伏太阳能网讯： 摘要 文章综述了 N 型背结背接触和背结前接触晶体硅 太阳能 电池的研究和产业化的最新进展。 从原理上阐述了 N 型背结背接触电池高效率的原因。从研究的角度，综述和点评了国际上 个研究小组在 N 型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作。 论述了丝网印刷 Al 烧结法制备 N 型背结背接触电池方面的研究进展。 关键词： N 型晶体硅，背结背接触，背结前接触，丝网印刷 Al 烧结，太阳能电池 0 引言 截至目前，世界上量产转化效率超过 20% 的电池有两种，均制备在磷 (P)掺杂的 N 型单晶硅 衬底上。 2010 年，美国 SunPower 公司的 D. D. Smith 等人成功实现了面积为 125 ×125 mm 2 的 N 型背结背接触 (Back-junction Back-contact) 单晶硅太阳能电池， 其转化效率高达 24.2% 。 这成为了目前世界上量产效率最高的晶体硅电池结构之一。另一种 N 型电池是日本 Panasonic 公司的 HIT(Hetero-junction Intrinsic Thin-film) 电池，量产转化效率为 23% 。展望 未来，转化效率超过 20% 的 N 型晶体硅电池已成为传统晶体硅太阳能电池的发展趋势，是 当今国际研究和产业化的前沿。 本文旨在综述 N 型背结背接触和背结前接触晶体硅太阳能电池的研究和产业化的最新进展。 从原理上阐述 N 型背结背接触电池高效率的原因。从研究的角度，综述和点评了国际上个 研究小组在 N 型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作。 论述了 Al 推进法制备 N 型背结背 接触电池方面的研究进展。 采用成本和效率两个衡量标准考量这一技术方案的应用前景。 并 对未来进一步提高 N 型晶体硅电池的转化效率给出了建议。 1 N 型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理 首先， 与掺硼 (B) 的 P 型晶体硅材料相比， 掺磷 (P) 的 N 型晶体硅材料具有如下优势： （1） N 型材料中的杂质 （如一些常见的金属离子） 对少子空穴的捕获能力低于 P 型材料中的杂质 对少子电子的捕获能力。 （2 ）选用掺磷的 N 型硅材料形成的电池则没有光致衰减效应的存 在。因此， N 型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。（ 3 ）N 型材料的 少子空穴的表面复合速率低于 P 型材料中电子的表面复合速率。因此，采用 N 型晶体硅材 料少子空穴的复合将远低于 P 型材料中的少子电子的复合。 上述三大优势是 N 型晶体硅电 池获得高转化效率的前提。 其次， 背结背接触也是此类电池的另一重要特征。 与传统的常规电池相比， 背结背接触电 池具有： （1）受光面无电极遮挡损失。 （2 ）背电极优化使得电池的串联电阻提高。因此可 进一步优化电极宽度从而达到提高串联电阻的目的。（ 3）提供更好的优化前表面陷光和实 现极低反射率的潜力。 2 高效率 N 型背结前接触太阳能电池的研究 在 N 型晶体硅太