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低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型.pdfVIP

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  • 2021-10-08 发布于天津
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低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型.pdf

    华南理工大学学报自然科学版第卷第期年月文章编号低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型姚若河欧秀平华南理工大学电子与信息学院广东广州摘要对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析将表面势开始偏离亚阈值区沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型并采用数值仿真方法对模型进行了验证结果表明新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合关键词多晶硅薄膜晶体管阈

    华 南 理 工 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) 第 38 卷 第 1期 Journal of Sou th C hina U n iversity of Technology V ol. 38 　N o. 1 2010 年 1 月 ( N atural Science Edition )

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