上海东软载波ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 ES32F365x_Datasheet_C V1.3.pdfVIP

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上海东软载波ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 ES32F365x_Datasheet_C V1.3

ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 32 位MCU ES32F3656 ES32F3655 ES32F3654 ES32F3653 ES32F3651 数据手册 产品简介 数据手册 参考手册上海东软载波微电子有限公司 2021-04-21 V1.3 1/85 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ES32F3656/655/654/653/651 数据手册基于ARM Cortex-M3 的ES32F365x系列MCU 内核  2 路12 位DAC：最大采样速率达500KHz  ARM 32 位Cortex-M3 CPU  3 路模拟比较器 – 最高频率可达96MHz  温度传感器 – 支持MPU 定时器存储  2 路16 位高级定时器：支持4 个输入捕捉  最大512K Byte FLASH 存储器和输出比较通道，支持3 个死区可编程  最大64K Byte SRAM 数据存储 PWM 互补输出通道，支持刹车功能  EBI 接口可扩展外部存储  2 路16 位通用定时器：支持4 路独立的输入捕捉和输出比较通道电源、复位  2 路32 位通用定时器：支持4 路独立的输  芯片工作电压范围: 入捕捉和输出比较通道 – 2.6V ≤VDD ≤5.5V  2 路基本定时器  POR,BOR （支持16 个阈值选择），LVD  RTC：支持日历，闹钟等功能时钟通信接口  外部高速晶体振荡器: 1~24MHz  2 路I2C 接口：支持多主模式和总线仲裁；  内部高速RC 振荡器: 24 MHz 输出支持16 级深度FIFO  外部低速晶体振荡器: 32.768KHz  3 路SPI/I2S 接口：支持16 级深度FIFO，  内部低速RC 振荡器: 32.768KHz I2S 支持主机使用  内部超低速RC 振荡器: 10KHz