SiC材料的特性及应用.ppt

SiC材料的特性及应用;SiC材料的发展史话 SiC材料的特性及应用 SiC材料的制备方法 小结;Silicon Carbide Technology(SiC);SiC’s superior Performance;SiC is superior compared to Si because: It has exceptionally high Breakdown electric field Wide Band gap Energy High Thermal conductivity High carrier saturated velocity; 起初Acheson错误地认为这种材料是C和Al的化合物，他的目的是想寻找一种材料能够代替金刚石和其他研磨材料，用于材料的切割和抛光，他发现这种单晶材料具有硬度大、熔点高等特性，于1893年申请了专利，将这种产品称为“Carborundum”???; 开辟了SiC材料和器件研究的新纪元，此后，有关SiC的研究工作全面展开，并且于1958年在Boston召开了第一届SiC会议。 但是，Si技术的成功以及迅猛发展，使得人们对SiC的研究兴趣下降，这一时期的研究工作，即60年代中期到70年代中期，主要在前苏联进行，在西方一些国家，SiC的研究工作仅处于维持状态。;SiC材料的发展史话;SiC材料的发展史话;SiC材料的特性及应用; SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境检测及航空、航天、雷达、通讯系统及汽车马达等领域的极端环境中。;SiC材料的特性及应用;3C-SiC;6H-SiC;SiC材料的特性及应用;SiC材料的特性及应用;SiC材料的特性及应用;SiC材料的特性及应用; 虽然早在50年代就观察到了SiC材料的电致发光，并且SiC蓝光发光二极管早已实现了商品化，但由于SiC材料的生长工艺技术还不够成熟，SiC的工艺技术，如高质量SiO2的制备、良好的欧姆接触、图形加工技术等还有待于开发，SiC电子器件研制尚处于起步阶段。;Comparison of Si and SiC devices under similar conditions; 异质结双极晶体管中高的注入效率 LED中发射蓝光(商业应用) 宽带隙 激光二极管 抗辐射器件 超低漏电流器件 晶格失配低 GaN、AlN的最理想的衬底材料; 高压大功率开关二极管，可控硅 电力电子器件 IC高密度封装 空间应用的大功率器件;SiC材料的制备方法;; 无论Lely法还是改良的Lely法生长的单晶几乎都是六方结构的4H、6H-SiC，而立方SiC中载流子迁移率较高，更适合于研制微电子器件，但至今尚无商用的3C-SiC体单晶，另外，SiC体单晶在高温下(2200°C)生长，掺杂难于控制，晶体中存在缺陷，特别是微管道缺陷无法消除，并且SiC体单晶非常昂贵，于是发展了多种外延SiC的方法。;SiC材料的制备方法;小结;谢谢大家！