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《电路与电子技术》习题库2 中篇 模拟电子技术基础 第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管 一、填空题 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，定域的杂质离子带 电。 2、双极型三极管内部有 区、 区和 区，有 结和 结及向外引出的三个铝电极。 3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 。 4、二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个工作区。 5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 。 6、双极型三极管简称晶体管，属于 控制型器件，单极型三极管称为 MOS管，属于 控制型器件。MOS管只有 载流子构成导通电流。 7、场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。 二、判断正误 9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。 （ √ ） 三、选择题 1、单极型半导体器件是（ ）。 A、二极管； B、稳压管； C、场效应管； D、双极型三极管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3. N型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态；D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管（ ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通；D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。 A、多子漂移； B、少子漂移； C、多子扩散； D、少子扩散。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ ）。 A、截止区； B、饱和区； C、放大区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ ）。 1 A、为零； B、较小； C、较大； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ ）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超过（ ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM； C、集电极最大允许耗散功率PCM； B、集―射极间反向击穿电压UBRCEO； D、管子的电流放大倍数?。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 11、场效应管是_____器件。 A、电压控制电压 B、电流控制电压 C、电压控制电流 D、电流控制电流 12、场效应管漏极电流由____的运动形成。 A、少子 B、电子 C、多子 D、两种载流子 13、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。 A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。 2、N型半导体和P型半导体有何不同？各有何特点？它们是半导体器件吗？