Tri-Gate晶体管的工艺模拟及仿真.docVIP

Tri-Gate晶体管的工艺模拟及仿真 摘 要 近年来，随着半导体产业以及科技的飞速发展，半导体工艺尺寸的不断缩小，业界内传言摩尔定律也即将走到尽头。但是Intel在2011年宣布的Tri-Gate晶体管，也称为3D晶体管的成功研制使得处理器的性能大幅度提升，同时也可以让摩尔定律得到一定年限的延续。Intel此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是“重新发明了晶体管”。此项新技术将用在未来22纳米科技设备中，其中小的手机到大的云计算服务器包括在内都可以使用该技术。 本文首先以传统CMOS晶体管为例子，介绍了几种目前较为先进的晶体管实例，形成原理和结构特点。再以这些晶体管的缺点和限制来引出新型的Tri-Gate晶体管。并介绍其特点，和其他晶体管的优势。重点还在于对模拟出的器件模型和电学特性结合理论知识进行相关分析，在此基础上能把器件结构进行进一步优化后，再次模拟最终得出性能良好的Tri-Gate晶体管。 本文的意义主要在于通过对Tri-Gate晶体管的学习和研究，分析晶体管结构和特点并进行相关的参数设计，器件工艺设计，器件模拟后，探索性的对Tri-Gate晶体管进行工艺模拟和特性仿真，最后能够设计并实现了其良好性能的Tri-Gate晶体管及其模拟。 关键词：Tri-Gate晶体管，3D晶体管，器件模拟，电学特性 Processing Simulation and Em