半导体霍尔效应实验.docxVIP

东南大学材料科学与工程 实验报告 学生 徐佳乐 班级学验日期 2014/9/4 批改教师 课程名称 电子信息材料大型实验 批改日期 实验名称 半导体霍尔效应实验 报告成绩 一、 实验目的 1、 了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数表达式的推导。 2、 掌握霍尔系数和电导率的测量方法。 3、 通过测量数据的处理判别样品的导电类型，计算室温下所测半 导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率。 二、 实验原理 霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔效应， 可以确定半导体的导电类型和载流子浓度。 利用霍尔系数和电导率的联合 测量，可以用来研究半导体的导电机制（本征导电和杂质导电）和散射机制 （晶格散射和杂质散射），进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电 离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽 度、杂质电离能及迁移率的特性。 1、 霍尔效应和霍尔系数 设一块半导体的X方向上有均匀的电流L流过，在z方向上加有磁 场聘则在这块半导体的y方向上出现一横向电势差 M 这种现象被称 为“霍尔效应”，。川称为“霍尔电压”，所对应的横向电场Eh称为“霍 尔电场”。 霍尔电场强度Eh的大小与流经样品的电流密度 农和磁感应强度日革的 乘积成正比： Rh ?Jx ?Bz 式中比例系数R/J称为“霍尔系数”。 半导体样品的长、宽、厚分