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多晶硅生产工艺和反应原理 第一节多晶硅的基础知识 多晶硅的基础知识重要的半导体材料，化学元素符号Si,电子工业上使用的 硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料, 它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。 在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制 作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶 体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。 1953年又研究出无堆竭区域熔化法(FZ),既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955 年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。1956年研 究成功氢还原三氯氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢 硅法成为一种主要的方法。到I960年，用这种方法进行工业生产已具规模°硅整流 器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延 生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集 成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳 电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展 迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。 化学成分硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分