实验八锑化铟磁电阻传感器磁阻特性测量及应用.docxVIP

实验/I 铺化锢磁阻特性测量 磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探 矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量 等，其中最典型的锐化锢(InSb)传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重 要的应用价值。本实验装直结构简单、实验容丰富，使用两种材料的传感器：利用碑化铉 (GaAs)霍尔传感器测量磁感应强度，研究锐化锢(InSb)磁阻传感器的电阻随磁感应强 度的变化情况。 一、 实验目的 1、 测量钥化锢传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。 2、 作出锐化锢传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。 3、 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。 二、 实验仪器 FD-MR-II型磁阻效应实验仪(直流双路恒流电源、。?2V直流数字电压表、电磁铁、 数字式毫特仪、钥化钿磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等)、示波器、电阻箱、正弦交 流低频发生器及导线若干。 三、 实验原理 在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值R随磁感应强度B变化的规律称为磁阻效 应。如图43-1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用， 发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的 洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场