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金属和半导体的接触 (2) 第一页，共29页。 本章内容提要 金半接触及其能级图 整流特性 少子注入和欧姆接触 第二页，共29页。 金属—半导体接触 整流接触：微波技术和高速集成电路 欧姆接触：电极制作 成为界面物理重要内容 半导体器件重要部分 能级图 整流特征 欧姆接触 第三页，共29页。 7.1 金属半导体接触及其能级图 1.金属与半导体的功函数 功函数：金属中的电子从金属中逸出，需由外界供给它足够的能量， 这个能量的最低值被称为功函数。 金属功函数 Wm=E0-(EF)m 金属中的电子势阱 半导体的功函数和电子亲和能 E0为真空电子能级 半导体功函数 Ws=E0-(EF)s 电子亲和能 χ=E0-Ec Ws=χ+[Ec-(EF)s] =χ+En En=Ec-(EF)s 第四页，共29页。 2.接触电势差（肖特基模型） 金属和n型半导体接触能带图（WmWs） （a）接触前；（b）间隙很大； （c）紧密接触；（d）忽略间隙 半导体电势提高 金属电势降低 平衡态，费米能级相等 金半间距D远大于原子间距时 D 正负电荷密度增加 D 与原子间距相比 空间电荷区形成（why），表面势，能带弯曲 （理想） 肖特基势垒高度 第五页，共29页。 小结： （1）金属与n型半导体接触 WmWs，电子由半导体进入金