金属和半导体的接触.pptVIP

V0, 势垒宽度 xd随V增加而减小，半导体 侧势垒降低。 V0，势垒宽度 xd随V 增加而增加，半导体侧 势垒升高 这种依赖于外加电压的势垒，称为肖特基势垒。 最大电场随反向电压的增加而增大，正向电压 的增加而减小，且随掺杂浓度的增加而增大； 势垒区宽度随反向电压的增加而增大，正向电压 的增加而减小，且随掺杂浓度的增加而减小， 注意： 讨论： 第三十一页，共64页。 流过势垒的电流密度： 半导体势垒区与中性区存在浓度梯度，所以有扩散电流。 有外加电压时，存在漂移电流。 利用： 得到： 根据： 第三十二页，共64页。 同乘以 得到： 积分： 第三十三页，共64页。 利用边界条件： 由于 随x增加迅速减小 只考虑在x=0附近 2xxd＞＞x2 第三十四页，共64页。 积分，得到： 其中 讨论： 1）当qV﹥﹥k0T，有J=JsDexp（qV/k0T），为通常情况。 2）当-qV﹥﹥k0T，则J=-JsD，不饱和，JsD随外加电压的 升高而增加。 第三十五页，共64页。 2.热电子发射理论 假设流过势垒的电流主要受电子越过势垒的过程限制。 适于电子的平均自由程远大于势垒区宽度的半导体。 平衡时，界面处半导体侧的电子浓度: 第三十六页，共64页。 单位时间入射到单位面积上的