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- 2021-10-19 发布于未知
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设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSFET,芯片尺寸就会较大,从而输入电容也较大。也就是说,导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗。当开关频率提高时,问题将变得更为棘手。
图1? MOSFET导通和关断时的典型栅电流
图2 MOSFET中的寄生电容
图3 典型MOSFET的栅电荷
图4? 基于专用控制器的简单QR转换器
图5 ZVS技术消除米勒效应
MOSFET导通和关断时的典型栅电流如图1所示
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