15秋课件半导体传感器.pptx

第四章 半导体磁敏传感器 §4.1 霍尔磁敏传感器 §4.2 磁敏电阻 §4.3 磁敏二极管和磁敏三极管 包括B、H、Φ等 磁敏传感器是把磁学物理量转换成电信号的传感器。它广泛地应用于自动控制、信息传递、电磁测量、生物医学等待个领域。 磁敏传感器的工作原理大多是基于带电载流子在磁场中运动时因受洛仑兹力的作用而发生偏转的机理，洛仑兹力的大小由下式来决定： q为带电载流子的电荷，v为载流子运动速度，B为磁感应强度。洛仑兹力的方向由左手定则来判断。 这种由于磁场的变化引起电量变化的现象，称为磁电效应，磁电效应主要有霍尔效应、磁阻效应和形状效应等。 半导体磁敏传感器按其结构分为体型和结型两大类，霍尔传感器和磁敏电阻属于体型，前者利用的主要是霍尔效应，后者利用的主要有磁阻效应和形状效应。 而磁敏二极管和磁敏三极管则属于结型半导体磁敏传感器，在磁场作用下，器件的电流电压特性发生改变，从而得到输出与磁场之间的对应关系。 §4.1 霍尔磁敏传感器 一、工作原理——霍尔效应 通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象称为霍尔效应。zＢyd++++++x--I--UH--wEHn------l图4.1霍耳效应原理图 N型半导体的长度为l，宽度为w，厚度为d。设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向z施加的磁感应强度B的作用下，它受到洛仑兹力沿x轴正方向，大小为q—电子电量(1.62×10-19C)； v—电子运动平均速度 由于载流子的偏转，使x方向上两极板分别积累不同的电荷，产生新的电势差UH（霍尔电势），形成由-x指向+x的电场EH，电子受该电场的电场力方向沿x轴正方向，大小为 当fL和fE达到动态平衡时，UH不再增加达到一个稳定值：电流密度j=nqv代入上式得到：（N型半导体）或者（P型半导体）若将电流I换成霍尔元件两端的控制电压V，则：霍尔电势可改写成：取：RH—霍尔传感器的霍尔系数，由半导体材料的物理性质决定，反应了霍尔效应的强弱。则：设：KH—霍尔传感器的灵敏度，它是指在单位磁感应强度和单位控制电流作用下，所能输出的霍尔电势的大小。若磁感应强度B的方向与霍尔器件的平面法线夹角为θ时（即B与I不完全垂直时），霍尔电势应为： VH＝ KH I B cosθ 综上，霍尔传感器的工作原理可以简述为： 当流过霍尔元件的控制电流I（或控制电压V）一定时，霍尔电压UH的大小和方向随磁场B的大小和方向变化，其关系为：注意：⑴霍尔元件的厚度d越小，霍尔元件灵敏度越大，所以霍尔元件做得较薄，一般在μm厚度，因此击穿电压较低。⑵RH=ρμ，只有半导体材料的迁移率和载流子浓度比较合适，而且多采用N型半导体制造霍尔元件。DR1R2BAR4R3C二、霍耳磁敏传感器（霍耳元件）的结构控制电极1.结构和符号霍耳电极DsAB5.4d2.12.7wCl0.30.50.2R4（a）（b）（c）图4.2 霍耳元件的结构示意图a)实际结构(μm)；(b)简化结构；(c)等效电路外形尺寸:6.4×3.1×0.2;有效尺寸：5.4×2.7×0.2 霍尔元件常采用锗、硅、砷化镓、锑化铟等半导体制作。外形为矩形薄片，有四根引线，对应四个电极：控制电极A和B（激励电极、输入电极、电流电极）、霍尔电极C和D（输出电极）。CCCABABBAHDDD图4.3 霍尔器件的图形符号控制电极间的电阻，称为输入电阻或者控制内阻。霍耳电极间的电阻，称为输出电阻或霍耳侧内部电阻。 由于金属电极的存在，会使因洛仑兹力积累的部分电荷与对面感应的相反电荷中和，导致UH下降，所以离控制电极越近的位置处UH也越小。元件尺寸的一些特点：几何尺寸l/w：由于存在局部短路作用，在霍尔电极上输出的霍尔电势，将要比理论值小，只有当l/w→∞时，才符合UH的定义式。一般在l/w为有限值时，认为l/w2基本上就可以有效减小短路现象，若l/w过大，控制电极间距增大，使输入功耗增加，会降低元件的输出。霍尔电极的位置和大小：一般取元件长边的中心点作为霍尔电极的位置，它的宽度尺寸s是小于元件长度尺寸的1/10。IHIBR3UHVRE图4.4 霍耳器件的基本测量电路2.霍尔元件基本测量电路控制电流I；霍耳电势UH；控制电压V；输出电阻R2；输入电阻R1；霍耳负载电阻R3；霍耳电流IH。 图4.4中控制电流I由电源E供给,R为调节电阻,保证器件内所需控制电流I。霍尔输出电极接负载R3，R3可以是一般电阻或放大器的输入电阻、或表头内阻等。霍尔元件的供电方式有恒压和恒流两种。3.霍尔传感器的两种输出电路 霍尔传感器输出电势一般在毫伏量级，在实际使用时需要加差分放大器，可以作线性测量或者开关状态两种使用方式，如图4.5所示。Rf图4.8 GaAs霍尔元件的输出电路a)线性应用 b)开关应用三、霍