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半导体器件 选择题 1、P 型半导体中的载流子是 c 。 a. 空穴 b. 自由电子 c. 空穴和自由电子 d. 空穴和负离子 2、N 型半导体中的自由电子浓度 a 空穴浓度。 a. 大于 b. 小于 c. 等于 d. 大于等于 3、本征半导体的载流子浓度随温度上升而变化，其中 c 。 a. 自由电子浓度增加，而空穴浓度不变 b. 空穴浓度增加，而自由电子浓度不变 c. 空穴和自由电子浓度以相同的规律和倍数增加 d. 空穴和自由电子浓度都不变 4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 c 。 a. 温度 b. 掺杂工艺 c. 杂质浓度 d. 晶体缺陷 5、在杂质半导体中，少数载流子的浓度与 a 有很大关系。 a. 温度 b. 掺杂工艺 c. 杂质浓度 d. 晶体缺陷 6、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 c 漂移电流，耗尽层