氯氟烃(cfcs)与空调制冷.docxVIP

氯氟炷（CFC9与空调制冷 提要 本文介绍了关于氟利昂物质的基础知 识及其环境效应，着重阐述了氯氟炷类制冷 剂替代技术的研究开发现状与发展方向。 1氯氟炷物质与氟利昂物质 在氯氟炷物质已经限制生产并即将禁 止使用的今天，人们常误把氯氟炷物质完全 赞同于氟利昂物质。其实，氯氟炷物质是属 于氟利昂物质中的一种， 由于这种物质严重 破坏大气臭氧层，故专门称之为氯氟炷物质, 以区别于其他氟利昂物质。 氟利昂物质是饱和碳氢化合物的卤族 衍生物的总称，本世纪 30年代开始用作制 冷剂，它的出现解决了对制冷剂有各种要求 的问题。根据饱和碳氢化合物是甲烷或乙烷 的不同，氟利昂物质分为甲烷族与乙烷族， 如图1和图2所示，两者均可排为以氢、氯、 氟三元素为顶点的三角形， 其中甲烷或乙烷 中的氢部分或全部被氯、氟置换；按照氢元 素被卤元素置换的情况, 六种：氟利昂物质可分为 素被卤元素置换的情况, 六种： 氟利昂物质可分为 图1甲烷族氟利昂物质 图2乙 烷族氟利昂物质 第一种是全氟代炷即饱和碳氢化合物 中的氢完全被氟置换， 如CF4与C2F它们 不燃、无毒，极其稳定，即使进入大气平流 层也不易分解，因而对臭氧层不产生影响。 第二种是氯氟炷，即饱和炷中的氢元素 完全被氯元素和氟元素置换，如 R11、R12、 R1 R111、R112、R11 R114 R111% 它 们极稳定。生存期长达几十年至上百年，穿 越大气对流层进入平流层，受紫外线照射后 产生对臭氧层有严重破坏作用的 Cl和CIO。 以R11为例： 紫外线照射 CCI3—CCI2F+ CI CI+OA CCI O+ 02 Cl+A CI + 02 而且 CI 0 +NOt N02+ CI 因此，一个氯离子由于连锁反应破坏上 万个O3分子。 第三种氢氟炷，即饱和炷中的氢元素中 只有一部分被氟元素置换的，如 R41、R32、 R23 R161、R152 R 143a、R134a R125o 它们不可能分解产生氯原子，因而不破坏臭 氧层。 第四种是氢氯氟炷即饱和炷中的氢元 素部分被氯、氟置换，即图1和图2中去掉 最外一层化合物后剩余的部分，甲烷族和乙 烷族各有3种和10种。由于这类物质相对 不稳定，在到达平流层前已经分解，因此对 臭氧层的破坏作用较小。 第五种氢氯炷，即饱和炷中的氢元素部 分被氯元素置换。 第六种是全氯代炷，如 R1Q R110,它 们具有强毒性。 再者，由图2可见，在乙烷氟利昂物质 中，存在a, b等异性体，如 R134ah R142b 等。所谓异性体是指分子式相同但性质不同 的化合物，根据碳原子与氯、氟、氢等元素 结合的平衡程度排列，b的不平衡程度低于 a。 至于氟利昂物质中，氯元素被漠元素置 换后，称为哈龙。例如： R12B1, R13BI等。 主要用于灭火，对大气臭氧层有严重破坏作 用。 氯氟炷是破坏平流层中臭氧层的主要 因素之一。同时，氯氟炷和其他氟利昂物质 还是造成全球性温室效应的因素之一。表 1 给出部分氯氟炷物质和其他氟利昂物质造 成臭氧层耗减和温室效应的指标。 表1代码种类公式大气压下沸点C 臭氧耗减替能ODP 全球变暖潜能GWP 受控物质与否可燃否完成毒性试验是否是 是否是R22HCFCC密是 否否是R113CFCC2 是否是 R114CFCC2M否是 R115CFCC2否是 R123HCFCC笃 1992/3R124HCFC C2 否否 1994/5R125HFCC2 否否 1994/5R134aHFCC2 否否 1992/3R141bHCFCC2轻微 1992/3R142bHCFCC2否轻微是 R143aHFCC2 是轻微是R152aHFCC2否中等是 R500CFC/CFCR12I:否是 R502HCFC/HCFCR22/否是 H1211 哈龙 CClF2Br ?是否是H1301哈龙CF3Br是否 是H2402哈龙C2F4Br2 ?是否是 2氯氟炷制冷系统的替代 为了保护臭氧层，控制氯氟炷制冷剂的 使用，人们从两个途径探索解决，即：寻求 合宜的替代制冷剂和采用其他制冷方法。 就其他制冷方式来说，有吸收式制冷、 斯特林循环制冷、热电制冷和磁制冷等。其 中热电制冷可用于小型制冷装置、但由于半 导体材料始终没有突出进展，故效率很低， 且造价高。磁制冷机目前用于超低温制冷， 而常温磁制冷尚处理研究阶段，且不宜作为 空调冷源。至于斯特林制冷机，虽然目前尚 仅用于准备间红外一观测的低温冷却， 但被 认为是有发展前途的制冷循环。斯特林制冷 机理论上是由两个等温过程和两个等容过 程组成的定容回热气体制冷循环。 其优点是 构造简单，理论效率高。但是为了防止润滑 密封对工质的污染，目前采用无润滑密封， 因此，提高制冷机的寿命和可靠性以及蓄冷 器的研究均是非常重要的课题。这样，