独石电容器瓷.pptVIP

* 常用的移动剂： Pb(Fe2/3W1/3)O3（PFW，Tc=-95℃）； Pb(Ni1/3Nb2/3)O3（PNN） Pb(Zn1/3Nb2/3)O3（PZN） Pb(Mg1/3Nb2/3)O3（PMN） Pb(Co1/3Nb2/3)O3（PCN） PFW-PFN 瓷料存在缺点： 介质损耗＞5％ 电阻率低＜106Ω.m * 解决措施（改性）： 加入V、Nb、Ta、Bi、Mn、Mg、Ni、Cr中的一种以上的氧化物作为添加剂，使tgδ↓、ρ↑； 加入第三种复合钙钛矿型化合物Pb(Ni1/3Nb2/3)O3、Pb(Mn1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3，使tgδ↓、ρ↑。 * 典型配比： （PFW）0.41-（PFN）0.49-（PT）0.1 烧结温度870～930℃ 使用Pd/Ag（10/90）内电极 高比容（110μF/cm3） 低tgδ（＜0.015） 高绝缘电阻（＞109Ω），低老化率和高介电强度（＞25.5kV/mm）的MLCC。 * 2.1.3 钨镁酸铅系（PMW）（高频MLCC） 结构： 反铁电体：Tc＝＋39℃ tgδ≤5×10－4 ε（常温）=75，εmax=115 烧成温度：960℃ * 改性： 添加La2O3或Y2O3，使烧结温度↓，aε向正温方向移动 添加BiMg2/3Nb1/3O3玻璃相，使致密度↑、机械强度↑、aε为-750～-130ppm/℃ PMW加入PMN，使Tc降低到正常使用温度之下，在使用温度范围内，瓷料的主晶相为顺电相，降低损耗，以适用于高频。缺点：tgδ仍较大，10-4。 加入钨镉酸铅（PCW）作助熔剂，降低烧结温度，tgδ↓ * 效果： 可得到系列化高频MLCC 如0.8PMN－0.2PMW，Tc=﹣70℃，αε可达﹣3300ppm/℃。 添加SrNi1/3Nb2/3O3改性 αε可达﹣5600ppm/℃。 * 2.1.4 铌锌酸铅系（PZN）Tc=140℃ 特点：PZN-9mol﹪PT固溶体在室温下具有准同型相界（MPB）。 用熔融法可在MPB组成附近合成钙钛矿结构的PZN-PT单晶，具有ε=60000，但一般很难合成，容易生成稳定的立方Pb3Nb4O13焦绿石相混合体，使介电性能下降。（可加入SrTiO3、PbTiO3、BaTiO3减少焦绿石相） * 仅介绍了几种比较典型的复合钙钛矿型MLCC瓷料，围绕低温烧结陶瓷材料，可采用Ag（70﹪～85﹪）﹣Pd（30﹪～15﹪）合金作内电极，改善性能，降低成本，已由一元发展到二元甚至三元复合钙钛矿型化合物系列陶瓷，如PMN-PZN、PMN-PNN-PFN，PNN-PZN-PMN等。 清华大学研究了低温烧结的上述瓷料，可与Ag电极或含Pd为5﹪的Ag电极相匹配，大大的降低了MLCC生产成本。 * 2.2 含铋层状结构化合物系 2.2.1 含铋层状结构化合物的结构特点 含铋层状结构化合物是由前苏联Smolensky在PbBi2Nb2O9中发现的，特征为各向异性，其化合物通式为： (Bi2O2)2+(Mn-1RnO3n+1)2﹣ 其中：M为一种或一种以上的Na+、K+、Pb2+、Sr2+、Ba2+、 Bi3+等1、2和3价离子； R为一种或一种以上的Ti4+、Zr4+、Sn4+、Nb5+、Ta5+、 W6+等4、5和6价离子； M、R均处于氧八面体中心，n为整数1、2、3、4、5； (Mn-1RnO3n+1)钙钛矿结构，层间有(Bi2O2)存在。 * SBT （SrBi2Ta2O9）晶体结构 * Bi4Ti3O12晶体 * * 独石电容器瓷 背景: 电子技术（大规模集成电路、表面组装技术）的要求 大容量、小体积、长寿命、高可靠性 结构和工艺特点 （1） 涂有电极浆料的陶瓷坯体（多用薄片状）多层交替堆叠 （2） 陶瓷介质与电极同时烧成一个整体故称独石 也称“多层陶瓷电容器”（MLCC，mutil-layers ceramics conductions ) 性能特点与应用 优点：体积小、比容大、可靠性高 应用：混合集成电路和其它小型化、可靠性要求较高的电路 * 一、独石电容器的特点 1.1 独石电容器（MLCC）的结构 独石电容器是印有内电极的陶瓷膜以一定方式重叠形成的生胚经共同烧结后形成一个整体的“独石结构”，也称为多层陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Capacit