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半二复习笔记
1.1 MOS结构
1. 费米势：禁带中心能级 (EFi) 与费米能级 (EF) 之差的电势表示
2. 表面势：半导体表面电势与体内电势之差，体内 EFi 和表面 EFi 之差的电势表示
3. 金半功函数差
4. P 沟道阈值电压
’.
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注
意 faifn 是个负值
1.3 MOS原理
1. MOSFET非饱和区 IV 公式
2. 跨导定义： VDS一定时，漏电流 ID 随 VGS变化率，反映了 VGS 对 ID 的控制能力
3. 提高饱和区跨导途径
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