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模拟集成电路设计复习笔记 模拟集成电路设计复习笔记 PAGE 模拟集成电路设计复习笔记 模集复习笔记 By 潇然 I/V特性 1. I-V特性 2. 跨导 定义：VGS对IDS的控制能力（IDS对VGS变化的灵敏度） 饱和区跨导gm表达式： 2. 线性电阻表达式 二级效应 1. 体效应 γ为体效应系数，典型值 沟道长度调制效应 MOS器件模型 定义：信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上CGS等寄生电容、寄生电阻（接触孔电阻、导电层电阻等） 1. MOS小信号模型 ① 沟长调制效应引起的输出电阻 ② 体效应跨导 2. 完整的MOSFET小信号模型 用于计算各节点时间常数、找出极点 放大器的性能参数 AIC设计的八边形法则 分别为：速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗 参数之间互相制约，设计时需要在这些参数间折衷 共源级 1. 电阻负载 理想情况： 考虑沟长调制效应： 2. 二极管接法的MOS做负载 ① NMOS二极管负载 存在体效应时的阻抗： 忽略η随Vout的变化时，增益只于W/L有关，与偏置电流、电压无关，线性度很好。 ② PMOS管负载 缺点：a. 大增益需要极大的器件尺寸 b. 输出摆幅小 提高输出摆幅的方法：加电流源 3. 电流源做负载 4. 深线性区MOS管做负载 5. 带源极负反馈 ① 增益与跨导 随着RS增大， Gm和增益都变为gm的弱函数,提高了线性度；但以牺牲增益为代价。 另外，可以通过如下方法简便计算： Av=“在漏极节点看到的电阻”/“在源极通路上看到的电阻” ② 输出电阻 源跟随器（共漏） 1. 负载为Rs 2. 负载为电流源 3. 考虑rO和RL后的增益（注意分析过程） 4. 负载为理想电流源时输出电阻Ro 共栅级 1. 不考虑沟长调制效应时增益 ，体效应导致增益增加 2. 输入阻抗 RD=0时，共栅级输入阻抗相当于源跟随器输出阻抗 ，故在RD较小时，输入阻抗小 3. 输出阻抗 计算结果同带源极负反馈的共源级的Rout，故输出阻抗很大 共源共栅级 1. 增益（不考虑沟长调制） （注意此处为约等于且结果为负，具体增益参照P71，掌握方法即可） 2. 输出阻抗 M2管将M1管的输出阻抗提高为原来的（gm2+gmb2）rO2倍；有利于实现高增益 3. 其他性质： ① 作理想电流源，代价：输出摆幅减小 ② 屏蔽特性：Vout端有ΔVout的电压跳变时，表现在X点的电压跳变很小，屏蔽了输出节点对输入管的影响 4. 折叠共源共栅 5. 总结： 基本差动对 1. 大信号差分特性 上式假定了M1、M2均工作在饱和区，然鹅 2. 大信号共模特性 共模输入电平必须满足： 3. 小信号差分特性 因此，当ΔVin为下值时跨导降为0： ，其表征放大器所允许的最大输入差分信号 差模增益： 用叠加法、半电路法均可求全差分时的差模增益，结论为： ① 单边输入时差模增益为-gmRD ② 差分输入时差模增益为-gmRD ③ 单边输入时单端输出增益为-gmRD/2 4. 小信号共模特性 若电路完全对称，则流过M1和M2管的直流电流总为ISS/2，不随Vin,CM的变化而变化，因此，VX和VY不变； 非理想性包括：M1和M2之间有失配（W/L、VTH等），RD1和RD2之间有失配（阻值不完全相等等）；尾电流源ISS的内阻RSS不是无穷大 ① 尾电流内阻非无穷大时 若电路完全对称，则VP会随Vin,CM的变化而变化，导致尾电流变化， Vout1和Vout2会随之变化，但Vout1和Vout2总相等，故可短接，将M1、M2并联处理（注意此时跨导为2gm） 共模增益为： ② 输入管失配对共模响应的影响 共模到差模转换的增益： 5. CMRR-共模抑制比 Common-Mode Rejection Ratio，用来综合反映差分放大器的性能 基本电流镜 原理：利用输出电流与参考电流的过驱动电压相同 因此 复制精度受工艺（宽长比）、沟长调制效应的影响 有源电流镜 密勒效应 如果上图1的电路可以转换成图2的电路，则 是在所关心的频率下的小信号增益，通常为简化计算，我们一般用低频增益来代替AV，这样足可以使我们深入理解电路的频率特性。 极点与结点的关联 1. CS放大器的简化频率特性分析 如果忽略输出结点与输入结点的相互作用，我们可以利用密勒定理得到CS放大器的两个极点频率： 2. 共源放大器的频率特性（理论推导） 将分母化为： 其零点： 总而言之：若题目出到图，根据公式给出极点