光电二极管教程资料.pdf

光 电 二 极 管 教 程 工作原理 结光电二极管是一种基本器件，其功能类似于一个普通的信号二极管，但在结半导体的耗尽区吸收光时，它会产生光 电流。光电二极管是一种快速，高线性度的器件，在应用中具有高量子效率，可应用于各种不同的场合。 根据入射光确定期望的输出电流水平和响应度是有必要的。图 1 描绘了一个结光电二极管模型，它由基本的独立元件 组成，这样便于直观了解光电二极管的主要性质，更好地了解 Thorlabs 光电二极管工作过程。 图 1: 光电二极管模型 光电二极管术语 响应度 PD 光电二极管的响应度可以定义为给定波长下，产生的光电流 (I ) 和入射光功率 (P) 之比： 工作模式 ( 光导模式和光伏模式 ) 光电二极管可以工作在这两个模式中的一个 : 光导模式 ( 反向偏置 ) 或光伏模式 ( 零偏置 ) 。工作模式的选择根据应用中 速度和可接受暗电流大小 ( 漏电流 ) 而定。 光导模式 处于光导模式时， 有一个外加的偏压， 这是我们 DET系列探测器的基础。 电路中测得的电流代表器件接受到的光照 ; 测 量的输出电流与输入光功率成正比。 外加偏压使得耗尽区的宽度增大，响应度增大，结电容变小，响应度趋向直线。 工作在这些条件下容易产生很大的暗电流，但可以选择光电二极管的材料以限制其大小。 ( 注 : 我们的 DET器件都是 反向偏置的，不能工作在正向偏压下。 ) 光伏模式 光伏模式下，光电二极管是零偏置的。 器件的电流流动被限制，形成一个电压。 这种工作模式利用了光伏效应，它 是太阳能电池的基础。 当工作在光伏模式时，暗电流最小。 暗电流 暗电流是光电二极管有偏压时的漏电流 . 工作在光导模式时 , 容易出现更高的暗电流 , 并与温度直接相关 . 温度每增 加?10?°C, 暗电流几乎增加一倍 , 温度每增加 ?6 °C, 分流电阻增大一倍 . 显然 , 应用更大的偏压会降低结电容 , 但也会增加当前暗电流的大小 . 当前的暗电流也受光电二极管材料和有源区尺寸的影响 . 锗器件暗电流很大 , 硅器件通常比锗器件暗电流小 . 下表给 出了几种光电二极管材料及它们相关的暗电流 , 速度 , 响应波段和价格 . Material Dark Current Speed Sensitivity* Material Dark Current Speed Sensitivity* Silicon (Si) Low High Speed 400 - 1000 nm Germanium (Ge) High Low Speed 900 - 1600 nm Gallium Phosphide (GaP) Low High Speed 150 - 550 nm Indium Gallium Arsenide (InGaAs) Low High Speed 800 - 1800 nm Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)