可控硅设备与IGBT设备对比.pdf

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目录目录第一部分关于器件和可控硅器件的对比和可控硅内部原理对比第二部分多种电路结构中频电源能耗对比可控硅并联谐振电源串联谐振电源第三部分串联感应加热电源对比可控硅并联感应加热电源可靠性优势郑州科创电子有限公司地址郑州市航海西路号电话第页共页第一部分关于器件和可控硅器件的对比和可控硅内部原理对比内部结构示意图可控硅内部结构示意图是栅极为构造同时兼具管高速输入阻抗高易驱动与的通态压降小载流密度大耐压高热稳定性好双极晶体管通态压降低的优点于一身简化结构如上图工作时由于的电导调制特性减小很多使得的通态电

目 录 目 录 1 第一部分:关于 IGBT 器件和可控硅器件的对比 2 1. IGBT 和可控硅内部原理对比 2 第二部分:多种电路结构中频电源能耗对比 3 1. 可控硅并联谐振电源 3 2. IGBT 串联谐振电源 4 第三部分: IGBT 串联感应

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