元器件长期储存的失效模式和失效机理.docxVIP

— PAGE \* Arabic 1 — 元器件长期储存的失效模式和失效机理  元器件长期储存的失效模式和失效机理  李坤兰  (信息产业部电子第五研究所，广东广州，510610)   1.3 热敏电阻的失效模式  热敏电阻(编号为19)在无锡库房贮存两年半后，常规检测中发现样品电阻体开裂。样品分裂为较整齐的  两部分，一部分是电极，另一部分是陶瓷体。该热敏电阻的失效模式为电阻体开裂。  1.4 集成运算放大器的失效判据和失效模式  参数的失效判据根据产品设计的技术指标要求来确定。集成运算放大器的主要功能  参数及其正常范围如下：V os≤5 mV，Ib＋≤150 nA，Ib－≤150 nA，I os≤30 nA，Av o≥94 db，CMRR≥70 db。  样品在长春库房贮存约4年后，常规检测中发现其电路功能参数均无输出，测试结果如表2所示。  该集成运算放大器的失效模式为断路。  2 样品电路功能参数失效情况   2失效机理分析  2.1 整流二极管的失效机理分析  对失效样品的断口界面进行显微观察，发现钼柱一侧断面的焊料颜色发黑，无光泽，  氧化严重；铜引线一侧也有类似的情况。对样品的负极进行解剖分析发现，其焊料  颜色正常，有光泽，无氧化现象且与被焊接材料之间接触紧密。  对样品的正极和负极分别进行能谱分析，结果如图1、2所示。由图1、2可知，正极所用的焊料为铅锡焊料，氧的含量很高，表明焊料已被严重氧化；焊料中还有硫和碳元素，说明焊料已被污染。负板的焊料为银铜焊料，未见氧、硫、碳等其他元素。由此可以确定该整流二极管的失效是由正极焊料的氧化及污染引起。焊料的氧化，使得钼柱与铜引线之间焊接不紧密；同时，焊料被污染后，焊接处的脆性大大增加。在长期储存的环境应力—主要是温、湿度的作用下，使得正极铅锡焊料的污染和氧化进一步恶化，最终导致完全断开。样品负极银铜焊料的焊接质量和粘附力均优于正极的铅锡焊料，因而在以后的生  产中应尽量采用银铜焊料。  2.2 温度补偿震荡器的失效机理分析  对样品进行外观检查时未见异常。将样品开封后，在显微镜下观察，发现样品——引脚焊接处异常，如图3所示。用一绝缘体压此引脚，并加电测试，发现震荡器输出恢复正常，由此而来断定此脚为虚焊。该震荡器的失效是由该脚的虚焊引起的。  从表1的数据可知，该样品在1996年～1999年的功能参数都是正常的，而在2000年测试中则无输出。说明该样品的虚焊点在开始的3年里，保持接触尚好。由于在温度、湿度等环境条件的作用下，接触表面逐步被氧化，接触面慢慢地变得不完全起来，到第4年时，接触面完全分开，样品也就失效了。此种类型的虚焊，给样品的调试、使用和维护带来最大的隐患，应该尽量避免。  2.3 热敏电阻的失效机理分析  样品在陶瓷体和电极之间分裂为较整齐的两部分。电极上有比较明显的淡黄色物质。对其进行电镜显微分析后确定为松香，其中还含有少许铅锡焊料，如图4所示。由于热敏电阻的电极本身不够致密，在焊接引线时，助焊剂松香和少许焊料渗入电极与陶瓷体之间。降低了电极与陶瓷体之间的结合力。由于陶瓷体、电极、松香、焊料之间的膨胀系数不一致，受到贮存环境应力作用，导致环氧包封开裂，电极与陶瓷体分开，造成失效。  2.4 集成运算放大器的失效机理分析  对失效样品进行外观检查未见异常。用晶体管特性曲线图仪对其进行测试，发现各腿之间都不通。对失效样品进行计算机空测，测试结果如表3所示。  3 失效样品的计算机空测数据   对比表2和表3可知，计算机空测结果与样品的电路功能参数的测试结果完全一样。这说明该电路的各  腿之间都出现了断裂。  将该样品开帽后在立体显微镜下观察发现这只电路的芯片已经脱落，键合引线已全部断裂，焊料全部附着在芯片的背面，而底座上几乎无焊料的痕迹，如图5、6所示。  由此可见该样品的失效是由芯片的脱落引起的。  3 结论及建议  综上所述，这几种元器件在库房储存一段时间后，最长的库房贮存时间也只有4年，由于焊接工艺的缺陷，在环境应力的作用下，最终导致了样品失效。由此可见，焊接工艺缺陷对元器件的  寿命和可靠性的影响是很大的。  由于焊接不仅实现了部件间机械上的结合，更重要的是完成了部件间电的接通。因此，焊接是电子元器件生产中一个必不可少的生产环节。由于焊接接头的制造工艺比较复杂，要经过坡口加工、组装、焊接、热处理等加工工序，有时还受到设备能力和工艺