第2次课半导体异质结组成和生长.pptVIP

第二章 半导体异质结的组成与生长;问题？;第一节 材料的一般特性 第二节 异质结界面的晶格失配 第三节金属有机物化学气相外延生长 第四节分子束外延法（MBE） ;(1)晶格结构 立方晶 六方晶 晶格常数:Si:5.43A, Ge:5.658A GaAs:5.56A, GaN: c=5.189?,a=3.192? ;1双原子层堆积 2 偶极层;3 六方晶GaN的极性;4 氮化镓材料的极化;5 晶体结构测量;6半导体合金材料;Eg(GaxIn1-xN)=Eg(GaN) * x + Eg(InN) * (1-x) – b * x * (1-x) Eg(GaxAl1-xN)=Eg(GaN) * x + Eg(AlN) * (1-x) – b * x * (1-x);对直接禁带半导体材料，材料的禁带宽度满足：;AlGaAs,AlGaN,InGaN.等 应用广泛,波长调节 光限制 载流子限制;第二节 异质结界面的晶格失配;悬挂键密度等于交界处键密度之差.;包含在这个面中的键数为2.;第三节金属有机物化学气相外延生长;制造衬底材料 加工制成晶片;晶体生长过程是物质从其它相转变为结晶相的过程;;Deposition of a layer on a substrate which matches the crystalline order of the substrate Homoepita