S7-200存储区以及数据保存.docxVIP

FAQ ： 关于 S7-200 存储区以及数据保存的说明。解答： S7-200常用存储区包括 RAM 区、V 区、M 区、T 区、C 区和 EEPROM 区，这些所有的存储区大小都是固定的，并不能进行扩展。下面对它们作简单说明： EEPROM 区： S7-200 的永久程序数据保存区，EEPROM 中可以保存用户程序、V 区数据： 从 PC 机向 PLC 下载的过程就是将 程序 保存到EEPROM 当中； 通过PC/PPI 下载/上载对 SMB31 和 SMW32 进行编程，可以将 V 区当中的数据保存到EPROM 当中； EEPROM 类似于 通过PC/PPI 下载/上载 EEPROM 区 V V 区 对 SMB31 和 SMW32 进行编程 EEPROM 区 RAM 区： 当 S7-200 通电时，程序从EEPROM 里装载到 RAM 区当中，S7-200 运行时执行的一条一条指令就存储在该区，同时RAM 区中包括 V 区、M 区、T 区、C 区等数据区； RAM 类似于 PC 机中的内存，当您的程序大于内存时，它是下载不到PLC 当中的； 关于 RAM 区的程序数据存储情况有以下几种： EEPROM EEPROM 区 S7-200 通电 向 RAM 区复制程序代码 RAM RAM 区 断电 S7-200 电容保存 V 区、 －190 小时后 50 RA区M 程序被清空 M 区、T 区、C 区 区、M 区、 T 区、C 区清空 V V 区、M 区、T 区、C 区： V 区、M 区分别是S7-200 RAM 区的数据存储区，T 区是定时器存储区，C 区是计时器存储区， 它们用来存放程序运行时的运算结果和计时、计数值： 关于 V 区、M 区、T 区、C 区的程序数据存储情况有以下几种： 在 Step7 MicroWin32 编程软件的系统块当中若设定了 V 区、M 区、T 区、C 区的调电保存范围，如下所示： V V 区、M 区、 T 区、C 区 断电 电容保存 V 区、M 区、T 区、C 区 S7-200 －190 小时后 50 V 区、M 区、T 区、C 区清空 可以使用内置在S7-200 中的电容保存这些数据： 如果在 S7-200 上插有专用电池则在PLC 断电后： 电容保存 电容保存 V 区、M 区、T 区、C 区 －190 小5时0后 电池保存 V 区、M 区、T 区、C 区 持续断电 200 天P后LC V 区、M 区、T 区、C 区清空 另外： 电容充电时间为 24 小时，PLC 在不断电的情况下专用电池能够使用 10 年； V 区用户对 SMB31 V 区 用户对 SMB31 和 SMW32 编程 V 区当中的数 据复制到 断电 －190 小时后 电S7容-2保00持的 V 区50被清空 EEPROM 当中 EEPROM 通电S7中-2的00数据复 制到 V 区 关于“保存数据到 CPU 内置 EEPROM ”，新发布了一个指令库文件，其中包含使用直接和间接寻址方式保存任意 V 存储区和字节个数的子程序。可为此程序指定起始地址和数据个数，每个周期中只保存一个字节数据，不会造成 CPU 程序扫描超时。 可让客户到 http://www4.ad.siemens.de 查找 FAQ 条目号：