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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
D882 TRANSISTOR (NPN) TO-126
FEATURES
1. EMITTER
Power Dissipation
2. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 3. BASE
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 3 A
PC Collector Power Dissipation 1.25 W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta=25 ℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Collector-base breakdown voltage V(BR) I = 100μA, I =0 40 V
CBO C E
Collector-emitter breakdown voltage V(BR) I = 10mA, I =0 30 V
CEO C B
Emitter-base breakdown voltage V(BR) I = 100μA, I =0 5 V
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