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单晶硅柔性材料的制备及光学性能研究 单晶硅柔性材料的制备及光学性能研究 摘要: 柔性电子以其独特的柔韧性及其高效、低成本的制造工艺，在国防、能源、信息、医 摘要: 柔性电子以其独特的柔韧性及其高效、低成本的制造工艺，在国防、能源、信息、医 疗等领域具有广泛的应用前景。近几年柔性电子技术呈现出迅速发展的趋势，可以承受大变 疗等领域具有广泛的应用前景。近几年柔性电子技术呈现出迅速发展的趋势，可以承受大变 形的柔性电子器件的研究已成为电子、力学、材料和物理等学科的一个研究热点。然而针对 形的柔性电子器件的研究已成为电子、力学、材料和物理等学科的一个研究热点。然而针对 目前柔性电子器件发展中出现的问题, 本文将着重阐述了柔性单晶硅材料的制备及光学性 目前柔性电子器件发展中出现的问题, 本文将着重阐述了柔性单晶硅材料的制备及光学性 能提高等方面的研究。重点讨论柔性单晶硅结构的制备及其在柔性太阳能电池应用领域中的 能提高等方面的研究。重点讨论柔性单晶硅结构的制备及其在柔性太阳能电池应用领域中的 减少光反射、增强光吸收、避免光透射的关键科学和技术问题，指出构建三维复合结构的方 减少光反射、增强光吸收、避免光透射的关键科学和技术问题，指出构建三维复合结构的方 法，并系统研究三维复合结构的光学特性；以期实现对柔性单晶硅材料进行可控的调制，为 法，并系统研究三维复合结构的光学特性；以期实现对柔性单晶硅材料进行可控的调制，为 优化材料的柔性化设计以及发展新型柔性材料提供条件，开创了全新的低成本电子产品。 优化材料的柔性化设计以及发展新型柔性材料提供条件，开创了全新的低成本电子产品。 1 柔性单晶硅材料 1 柔性单晶硅材料 近年来，由于便携式电子器件突飞猛进的发展，柔性薄膜型器件能够实现其本身功能的 近年来，由于便携式电子器件突飞猛进的发展，柔性薄膜型器件能够实现其本身功能的 同时兼具柔性、超薄甚至透明特性而广受关注。尽管诸多超薄且柔韧性较好的新型材料在构 同时兼具柔性、超薄甚至透明特性而广受关注。尽管诸多超薄且柔韧性较好的新型材料在构 建柔性器件时表现出强劲优势，但是 目前柔性器件的关键性能依然不能与传统的硅微电子器 建柔性器件时表现出强劲优势，但是 目前柔性器件的关键性能依然不能与传统的硅微电子器 件相比。块体硅材料本身是脆性半导体材料，在微电子和光伏产业占据着主导地位，现代的 件相比。块体硅材料本身是脆性半导体材料，在微电子和光伏产业占据着主导地位，现代的 元器件和集成电路大多数也都是硅为原料，但是柔性单晶硅材料 目前研究较少，无法满足柔 元器件和集成电路大多数也都是硅为原料，但是柔性单晶硅材料 目前研究较少，无法满足柔 性器件要求，因此，发展基于柔性化的单晶硅材料得到了科研人员的关注和研究。 性器件要求，因此，发展基于柔性化的单晶硅材料得到了科研人员的关注和研究。 目前制备柔性单晶硅材料的方法主要有两类：第一类，通过机械剥离、外延生长或化学 目前制备柔性单晶硅材料的方法主要有两类：第一类，通过机械剥离、外延生长或化学 腐蚀来薄化单晶硅材料，使其厚度达到一定尺度后，薄片的单晶硅材料将会表现出一定的柔 腐蚀来薄化单晶硅材料，使其厚度达到一定尺度后，薄片的单晶硅材料将会表现出一定的柔 性；第二类，通过蚀刻的方法将体硅制备成一维硅纳米线，将硅纳米线嵌入某一种支撑体薄 性；第二类，通过蚀刻的方法将体硅制备成一维硅纳米线，将硅纳米线嵌入某一种支撑体薄 膜中，然后通过机械力、化学腐蚀将硅纳米线与硅基底之间接触力变弱，剥离有序的硅纳米 膜中，然后通过机械力、化学腐蚀将硅纳米线与硅基底之间接触力变弱，剥离有序的硅纳米 线薄膜，实现单晶硅材料柔性化 [1-4]。虽然剥离硅纳米线的方式具有工艺简单，低成本等 线薄膜，实现单晶硅材料柔性化 [1-4]。虽然剥离硅纳米线的方式具有工艺简单，低成本等 优点，且新的剥离方法可以高效有序的剥离硅纳米线 [5, 6]，但是单一的硅纳米线有序阵列 优点，且新的剥离方法可以高效有序的剥离硅纳米线 [5, 6]，但是单一的硅纳米线有序阵列 并不能满足新形式下对复杂构型的硅基结构的要求，难以与传统的硅基结构的构筑工艺兼容。 并不能满足新形式下对复杂构型的硅基结构的要求，难以与传统的硅基结构的构筑工艺兼容。 剥离下的硅纳米线结构，也无法制备复杂的 3D 硅基复合结构。因此，采用薄化单晶硅的方 剥离下的硅纳米线结构，也无法制备复杂的 3D 硅基复合结构。因此，采用薄化单晶硅的方 式来制备柔性硅基材料可以满足于传统硅基结构制备工艺相兼容的要求，对于多层次、高精